INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
D45C2,3,5,6,8,9,11,12
D45C1,4,7,10
V
BESAT
I
CES
I
EBO
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
D45C2,3,5,6,8,9,11,12
h
FE-1
直流电流增益
D45C1,4,7,10
D45C1,4,7,10
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
h
FE-2
I
C
= -0.2A ; V
CE
=-1V
25
10
条件
I
C
= -1A ，我
B
=-50mA
民
D45C系列
典型值。
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
-0.5
I
C
= -1A ，我
B
=-0.1A
I
C
= -1A ，我
B
=-0.1A
V
CE
=额定V
CES
V
EB
= -5V ;我
C
=0
40
-1.3
-100
-10
120
V
V
μA
μA
f
T
开关时间
t
r
t
s
t
f
导½
半
ND
固
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
D45C3,6,9,12
I
C
= -2A ; V
CE
=-1V
跃迁频率
I
C
=-20mA;V
CE
=-4V;
f=1.0MHz
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -1.0A ; V
CC
=-20V
I
B1
=-I
B2
=-0.1A
直流电流增益
D45C2,5,8,11
OR
CT
U
20
20
40
兆赫
0.2
0.6
0.3
μs
μs
μs
2
