SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
D45C系列
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
D45C12 （ PNP ） ，
D44C12 （ NPN ）
其他芯片
功率晶体管
该D45C12和D44C12是通用的驱动程序或
中等功率输出级的连续或开关应用。
特点
http://onsemi.com
低集电极 - 发射极饱和电压 - 0.5 V （最大值）
高F
t
对于良好的频率响应
低漏电流
无铅包可用*
4.0安培互补
广颖电
晶体管80伏
4
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
价值
80
90
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
VCES
V
EB
I
C
5.0
4.0
6.0
连续集电极电流 -
山顶（注1 ）
总功率耗散@ T
C
= 25°C
总功耗
@ T
A
= 25°C
工作和存储结
温度范围
P
D
30
1.67
W
W / ℃，
°C
T
J
, T
英镑
- 55 150
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
TO-220AB
CASE 221A
风格1
1
2
3
标记图
＆放大器;引脚分配
4
集热器
热特性
特征
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
4.2
75
单位
D4xC12G
AYWW
1
BASE
2
集热器
x
A
Y
WW
G
= 4或5
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
3
辐射源
热阻，
结到外壳
° C / W
° C / W
°C
热阻，
结到环境
最大无铅焊接温度的
目的：从案例的1/8 ，持续5秒
275
1.脉冲宽度
v
6.0毫秒，占空比
v
50%.
订购信息
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年11月 - 第2版
出版订单号：
D45C12/D
D45C12 （ PNP ） ， D44C12 （ NPN ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
的hFE ， DC电流增益
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
h
FE
民
最大
单位
-
直流电流增益
(V
CE
= 1.0伏，我
C
= 0.2 ADC）
(V
CE
= 1.0伏，我
C
= 1.0 ADC）
(V
CE
= 1.0伏，我
C
= 2.0 ADC）
40
20
20
120
-
-
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极截止电流（V
CE
=额定V
CES
, V
BE
= 0)
发射极截止电流（V
EB
= 5.0伏）
I
CES
-
-
-
-
0.1
10
mA
mA
I
EBO
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 50 MADC ）
基射极饱和电压（I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 100 MADC ）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
-
-
0.135
0.85
0.5
1.3
VDC
VDC
动态特性
集电极电容（V
CB
= 10 VDC ， F = 1.0兆赫）
C
cb
f
T
-
-
125
40
-
-
pF
增益带宽积（我
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 4.0伏， F = 20兆赫）
兆赫
开关时间
延迟和上升时间（我
C
= 1.0 ADC ，我
B1
= 0.1 ADC）
存储时间（我
C
= 1.0 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.1 ADC）
下降时间（我
C
= 1.0 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.1 ADC）
t
d
+ t
r
t
s
t
f
-
-
-
50
75
ns
ns
ns
350
50
550
75
订购信息
设备
D45C12
包
航运
TO-220AB
TO-220AB
（无铅）
TO-220AB
TO-220AB
（无铅）
D45C12G
D44C12
D44C12G
50单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
200
V
CE
= 1.0伏
T
J
= 25°C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
0.04
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
dc
1.0
ms
10
ms
0.1毫秒
1.0毫秒
T
C
≤
70°C
占空比
≤
50%
0.07 0.1
0.2 0.3 0.4
0.7 1.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
2.0
3.0 4.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图1.典型的直流电流增益
图2.最大额定正向偏置
安全工作区
http://onsemi.com
2
D45C12 （ PNP ） ， D44C12 （ NPN ）
包装尺寸
TO-220
CASE 221A -09
ISSUE AE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.161
0.095
0.105
0.110
0.155
0.014
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
---
---
0.080
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
4.09
2.42
2.66
2.80
3.93
0.36
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
---
---
2.04
-T-
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话： 303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真： 303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件： orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
3
D45C12/D
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
D45C系列
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
QQ：2881677436 复制
