IS61LV2568
256K ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间：
8 ，10，12和15纳秒
高性能，低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
易于扩展的内存使用
CE
和
OE
选项
CE
掉电
低功耗： 540毫瓦@ 10纳秒
36 mW的待机模式
TTL兼容的输入和输出
单3.3V ± 10 ％电源
??可用的软件包：
- 36引脚400密耳SOJ
- 44引脚TSOP （ II型）
ISSI
2000年12月
描述
该
ISSI
IS61LV2568是一个非常高速，低功耗，
262,144字由8位CMOS静态RAM 。该IS61LV2568
使用被制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新高可靠的工艺
略去电路设计技术，得到更高的性能
和低功耗的器件。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低至36MW （最大）与CMOS输入电平。
该IS61LV2568采用3.3V单电源工作
电源和所有输入是TTL兼容的。
该IS61LV2568是采用36引脚400密耳SOJ可用，
44针TSOP （ II型）封装。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
12/19/00
1
