IS61LV2568
256K ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 10和12纳秒
高性能，低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
易于扩展的内存使用
CE
和
OE
选项
CE
掉电
低功耗： 540毫瓦@ 10纳秒
36 mW的待机模式
TTL兼容的输入和输出
单3.3V ± 10 ％电源
??可用的软件包：
- 36引脚400密耳SOJ
- 44引脚TSOP （ II型）
ISSI
2003年2月
描述
该
ISSI
IS61LV2568是一个非常高速，低功耗，
262,144字由8位CMOS静态RAM 。该IS61LV2568
使用被制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新高可靠的工艺
略去电路设计技术，得到更高的性能
和低功耗的器件。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低至36MW （最大）与CMOS输入电平。
该IS61LV2568采用3.3V单电源工作
电源和所有输入是TTL兼容的。
该IS61LV2568是采用36引脚400密耳SOJ可用，
44针TSOP （ II型）封装。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×8
存储阵列
V
DD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
版权所有2003集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本B
02/07/03
1
IS61LV2568
引脚配置
36引脚SOJ
44针TSOP （ II型）
ISSI
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A5
A6
A7
A8
OE
I/O7
I/O6
GND
V
DD
I/O5
I/O4
A9
A10
A11
A12
NC
NC
NC
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
V
DD
GND
I/O2
I/O3
WE
A17
A16
A15
A14
A13
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A5
A6
A7
A8
OE
I/O7
I/O6
GND
V
DD
I/O5
I/O4
A9
A10
A11
A12
NC
NC
NC
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
V
DD
GND
I/O2
I/O3
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
引脚说明
A0-A17
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
V
DD
GND
NC
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
无连接
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本B
02/07/03
IS61LV2568
真值表
模式
未选择
（掉电）
读
写
WE
X
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
ISSI
输出禁用
H
L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
TERM
T
英镑
P
D
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+ 0.5
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本B
02/07/03
3
IS61LV2568
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
(1)
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.0
–0.3
–1
–5
–1
–5
ISSI
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
1
5
1
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V （DC） ; V
IL
（分钟） = -2.0V （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
V
IH
（MAX） = V
DD
+ 0.3V （DC） ; V
IH
（MAX） = V
DD
+ 2.0V （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
-10 NS
符号
I
CC
I
SB
1
参数
V
DD
操作
电源电流
TTL待机
当前
（ TTL输入）
CMOS待机
当前
（ CMOS输入）
测试条件
V
DD
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F =最大值。
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
， F =最大
V
DD
=最大，
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
125
135
40
50
10
20
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
110
120
35
45
10
20
单位
mA
mA
I
SB
2
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
= 3.3V.
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本B
02/07/03
IS61LV2568
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
ISSI
AC测试负载
319
3.3V
319
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
图1
图2
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
-10 NS
分钟。
马克斯。
10
—
3
—
—
0
0
3
0
—
10
—
10
4
—
4
—
4
-12 NS
分钟。马克斯。
12
—
3
—
—
0
0
3
0
—
12
—
12
5
—
5
—
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
(2)
t
HZCE
(2)
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，
0输入脉冲电平为3.0V ，输出负载，如图1中指定。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 200毫伏。
未经100％测试。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本B
02/07/03
5
IS61LV2568
256K ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间：
8 ，10，12和15纳秒
高性能，低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
易于扩展的内存使用
CE
和
OE
选项
CE
掉电
低功耗： 540毫瓦@ 10纳秒
36 mW的待机模式
TTL兼容的输入和输出
单3.3V ± 10 ％电源
??可用的软件包：
- 36引脚400密耳SOJ
- 44引脚TSOP （ II型）
ISSI
2000年12月
描述
该
ISSI
IS61LV2568是一个非常高速，低功耗，
262,144字由8位CMOS静态RAM 。该IS61LV2568
使用被制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新高可靠的工艺
略去电路设计技术，得到更高的性能
和低功耗的器件。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低至36MW （最大）与CMOS输入电平。
该IS61LV2568采用3.3V单电源工作
电源和所有输入是TTL兼容的。
该IS61LV2568是采用36引脚400密耳SOJ可用，
44针TSOP （ II型）封装。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
12/19/00
1
IS61LV2568
引脚配置
36引脚SOJ
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
VCC
GND
I/O2
I/O3
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A5
A6
A7
A8
OE
I/O7
I/O6
GND
VCC
I/O5
I/O4
A9
A10
A11
A12
NC
NC
ISSI
44针TSOP （ II型）
NC
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
VCC
GND
I/O2
I/O3
WE
A17
A16
A15
A14
A13
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A5
A6
A7
A8
OE
I/O7
I/O6
GND
VCC
I/O5
I/O4
A9
A10
A11
A12
NC
NC
NC
NC
引脚说明
A0-A17
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
NC
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
无连接
真值表
模式
WE
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作，VCC电源电流
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
未选择
X
（掉电）
输出禁用
读
H
写
L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
D
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
在偏置温度
COM 。
IND 。
储存温度
功耗
价值
-0.5到+4.6
-0.5 VCC + 0.5
-10至+85
-45至+90
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
12/19/00
IS61LV2568
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
ISSI
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
(1)
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND - V
IN
- V
CC
GND - V
OUT
- V
CC
，输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.0
–0.3
–1
–5
–1
–5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
5
1
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V （DC） ; V
IL
（分钟） = -2.0V （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.3V （DC） ; V
IH
（最大值）= Vcc的+ 2.0V （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
1
参数
Vcc操作
电源电流
TTL待机
当前
（ TTL输入）
CMOS待机
当前
（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F =最大值。
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
V
IH
， F =最大
V
CC
=最大，
CE
- V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
- 0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-8 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
150
160
50
60
10
20
-10 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
125
135
40
50
10
20
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
110
120
35
45
10
20
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
90
100
30
40
10
20
单位
mA
mA
I
SB
2
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 3.3V 。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
12/19/00
3
IS61LV2568
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
- 8纳秒
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
分钟。
8
—
3
—
—
0
0
3
0
最大
—
8
—
8
3
—
3
—
3
-10 NS
分钟。
10
—
3
—
—
0
0
3
0
马克斯。
—
10
—
10
4
—
4
—
4
-12 NS
分钟。
12
—
3
—
—
0
0
3
0
马克斯。
—
12
—
12
5
—
5
—
5
-15 NS
分钟。
15
—
3
—
—
0
0
3
0
马克斯。
—
15
—
15
6
—
6
—
6
ISSI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
OE
以低Z输出
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZCE
(2)
CE
以低Z输出
t
HZCE
(2)
CE
到输出高阻态
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1中指定的输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 200毫伏。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
319
3.3V
3.3V
319
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
图1
图2
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
12/19/00
IS61LV2568
AC波形
读周期1号
(1,2)
（地址控制） （ CE =
OE
= V
IL
)
t
RC
地址
ISSI
t
AA
t
OHA
D
OUT
以前的数据有效
t
OHA
数据有效
READ1.eps
读周期2号
(1,3)
（ CE和
OE
控制）
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OHA
t
美国能源部
CE
t
HZOE
t
LZOE
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
数据有效
CE_RD2.eps
D
OUT
高-Z
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。
OE ，CE
= V
IL
.
3.地址之前或重合是有效的
CE
低转换。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
12/19/00
5
QQ：2880707522 复制
