SSM3J130TU
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（ U- MOSⅥ ）
SSM3J130TU
○
电源管理开关应用
1.5 V驱动器
低导通电阻，R
DS （ ON）
= 63.2毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.5 V)
R
DS （ ON）
= 41.1毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.8 V)
R
DS （ ON）
= 31.0毫欧（最大值） （ @V
GS
= -2.5 V)
R
DS （ ON）
= 25.8毫欧（最大值） （ @V
GS
= -4.5 V)
0.65±0.05
2.0±0.1
1
2
3
0.166±0.05
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
单位：mm
2.1±0.1
1.7±0.1
+0.1
0.3 -0.05
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注1 ）
P
D
（注2 ）
T
ch
T
英镑
等级
-20
±
8
-4.4
-8.8
800
500
150
-55到150
单位
V
V
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
mW
°C
°C
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）。
注1：装在陶瓷板上。
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
0.8毫米， Cu焊盘： 645毫米
2
)
注2 ：安装在FR4板。
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米
2
)
UFM
JEDEC
JEITA
东芝
0.7±0.05
A
―
―
2-2U1A
重量： 6.6毫克（典型值）。
记号
3
等效电路
（ TOP VIEW ）
3
JJC
1
2
1
2
1
2009-05-11
