SSM3J130TU
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（ U- MOSⅥ ）
SSM3J130TU
○
电源管理开关应用
1.5 V驱动器
低导通电阻，R
DS （ ON）
= 63.2毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.5 V)
R
DS （ ON）
= 41.1毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.8 V)
R
DS （ ON）
= 31.0毫欧（最大值） （ @V
GS
= -2.5 V)
R
DS （ ON）
= 25.8毫欧（最大值） （ @V
GS
= -4.5 V)
0.65±0.05
2.0±0.1
1
2
3
0.166±0.05
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
单位：mm
2.1±0.1
1.7±0.1
+0.1
0.3 -0.05
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注1 ）
P
D
（注2 ）
T
ch
T
英镑
等级
-20
±
8
-4.4
-8.8
800
500
150
-55到150
单位
V
V
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
mW
°C
°C
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）。
注1：装在陶瓷板上。
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
0.8毫米， Cu焊盘： 645毫米
2
)
注2 ：安装在FR4板。
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米
2
)
UFM
JEDEC
JEITA
东芝
0.7±0.05
A
―
―
2-2U1A
重量： 6.6毫克（典型值）。
记号
3
等效电路
（ TOP VIEW ）
3
JJC
1
2
1
2
1
2009-05-11
SSM3J130TU
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
测试条件
民
-20
（注4 ）
-15
-0.3
（注3）
（注3）
（注3）
（注3）
（注3）
8.8
（注3）
典型值。
17.5
20.9
24.2
28.8
32.4
1800
205
190
25
133
24.8
18.0
6.8
0.83
最大
-1
±1
-1.0
25.8
31.0
41.1
63.2
1.2
V
nC
ns
pF
mΩ
单位
V
μA
μA
V
S
V
（ BR ） DSS
I
D
= -1毫安，V
GS
= 0 V
V
（ BR ） DSX
I
D
= -1毫安，V
GS
= 5 V
I
DSS
I
GSS
V
th
Y
fs
V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±8
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -3 V，I
D
= -1毫安
V
DS
= -3 V，I
D
= -2.0 A
I
D
= -4.0 A，V
GS
= -4.5 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
= -4.0 A，V
GS
= -2.5 V
I
D
= -2.5 A，V
GS
= -1.8 V
I
D
= -1.5 A，V
GS
= -1.5 V
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源正向电压
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DSF
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= -10 V，I
D
= -1.5 A
V
GS
= 0至-2.5 V，R 1
G
= 4.7
Ω
V
DS
= -10 V，I
DS
= - 4.4 A,
V
GS
=- 4.5 V
I
D
= 4.4 A，V
GS
= 0 V
注3 ：脉冲测试
注4 ： V
DSX
模式（栅极和源极之间加上电压的应用）可能会导致降低最大
漏极 - 源极电压的额定值。
开关时间测试电路
（ a）测试电路
OUT
IN
-2.5 V
R
G
-2.5V
10
μs
V
DD
= -10 V
R
G
= 4.7
Ω
D.U.
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ; 5纳秒
常见的来源
TA = 25°C
R
L
V
DD
90%
（二）V
IN
0V
10%
0
（三）V
OUT
V
DS （ ON）
90%
10%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DD
使用注意事项
设V
th
是栅极和源极之间施加的电压，导致漏电流（I
D
）以下
1
毫安的
SSM3J130TU 。然后，进行正常的开关操作，V
GS （ ON）
必须高于V更高
TH ，
和V
GS （ OFF ）
必须小于
V
钍。
这种关系可表示为：V
GS （ OFF ）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （上） 。
使用设备时考虑到这一点。
操作注意事项
当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
直接接触与设备应当抗静电材料。
2
2009-05-11
SSM3J130TU
I
D
– V
DS
-10
-8V
-1.8 V
-1.5 V
-4.5V
-2.5V
VGS = -1.2 V
-10
常见的来源
VDS = -3 V
I
D
– V
GS
(A)
I
D
-6.0
I
D
(A)
-8.0
-1
漏电流
-0.1
TA = 100 C
-25 °C
-0.01
25 °C
-4.0
-2.0
常见的来源
TA = 25℃
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
漏电流
-0.001
0
-0.0001
0
-0.5
-1.0
-1.5
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
– V
GS
100
ID = -4.0A
常见的来源
TA = 25°C
100
常见的来源
TA = 25°C
R
DS （ ON）
– I
D
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
50
25 °C
TA = 100 C
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
50
-1.5 V
-2.5 V
-1.8V
-25 °C
0
VGS = -4.5 V
0
-2
-4
-6
-8
0
0
-2.0
-4.0
-6.0
-8.0
-10
栅源电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
R
DS （ ON）
- TA
100
常见的来源
-1.0
V
th
- TA
V
th
(V)
常见的来源
VDS = -3 V
为ID = -1毫安
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
50
-2.5 A / -1.8V
-4.0 A / -2.5 V
-1.5 A / -1.5 V
栅极阈值电压
-0.5
ID = -4.0 A / VGS = -4.5 V
0
50
0
50
100
150
0
50
0
50
100
150
环境温度
Ta
(°C)
环境温度
Ta
(°C)
3
2009-05-11
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