MTP10N10EL
首选设备
功率MOSFET
10 A， 100 V，逻辑电平， N沟道TO- 220
这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。高效节能的设计也
提供了漏极 - 源极二极管具有快速的恢复时间。设计
低电压，在电源高速开关应用，
变换器和PWM马达控制，这些设备是特别
非常适合桥式电路中的二极管速度和换向
安全工作领域是至关重要的，并提供了额外的安全边际
对意外的电压瞬变。
特点
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10 A， 100 V
R
DS （ ON）
= 0.22
W
N沟道
D
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散
快恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定高温
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
≤
10毫秒）
漏电流
- 连续@ T
C
= 25°C
- 连续@ T
C
= 100°C
- 单脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
C
= 25°C
（注1 ）
工作和存储温度
范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，峰值
I
L
= 10位ADC ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
W)
热阻
- 结到外壳°
- 结到环境
- 结到环境（注1 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
100
100
±
15
±
20
10
6.0
35
40
0.32
1.75
-55
150
50
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
瓦
W / ℃，
瓦
°C
mJ
4
G
S
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
1
2
3
TO220AB
CASE 221A
风格5
MTP10N10EL
LLYWW
1
门
2
漏
3
来源
T
J
, T
英镑
E
AS
MTP10N10EL
LL
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
3.13
100
71.4
260
°C
订购信息
设备
MTP10N10EL
MTP10N10ELG
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年3月 - 第4版
出版订单号：
MTP10N10EL/D
