MTP10N10EL
首选设备
功率MOSFET
10 A， 100 V，逻辑电平， N沟道TO- 220
这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。高效节能的设计也
提供了漏极 - 源极二极管具有快速的恢复时间。设计
低电压，在电源高速开关应用，
变换器和PWM马达控制，这些设备是特别
非常适合桥式电路中的二极管速度和换向
安全工作领域是至关重要的，并提供了额外的安全边际
对意外的电压瞬变。
特点
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10 A， 100 V
R
DS （ ON）
= 0.22
W
N沟道
D
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散
快恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定高温
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
≤
10毫秒）
漏电流
- 连续@ T
C
= 25°C
- 连续@ T
C
= 100°C
- 单脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
C
= 25°C
（注1 ）
工作和存储温度
范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，峰值
I
L
= 10位ADC ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
W)
热阻
- 结到外壳°
- 结到环境
- 结到环境（注1 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
100
100
±
15
±
20
10
6.0
35
40
0.32
1.75
-55
150
50
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
瓦
W / ℃，
瓦
°C
mJ
4
G
S
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
1
2
3
TO220AB
CASE 221A
风格5
MTP10N10EL
LLYWW
1
门
2
漏
3
来源
T
J
, T
英镑
E
AS
MTP10N10EL
LL
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
3.13
100
71.4
260
°C
订购信息
设备
MTP10N10EL
MTP10N10ELG
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年3月 - 第4版
出版订单号：
MTP10N10EL/D
MTP10N10EL
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
1800
1600
1400
C，电容（pF ）
1200
1000
800
600
400
200
0
10
5
V
GS
0
V
DS
5
10
C
OSS
C
RSS
15
20
25
C
RSS
C
国际空间站
C
国际空间站
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
T
J
= 25°C
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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