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NDD03N50Z
N沟道功率MOSFET
500 V, 3.3
W
特点
低导通电阻
低栅电荷
100％的雪崩测试
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
V
DSS
500 V
R
DS （ ON）
（ MAX ） @ 1.15
3.3
W
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
连续漏电流
QJC
连续漏电流
R
QJC
, T
A
= 100°C
漏电流脉冲，V
GS
@ 10 V
功耗
QJC
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量，
I
D
= 2.6 A
ESD （ HBM ） （ JESD22 - A114 ）
峰值二极管恢复
连续源电流
（体二极管）
最高温度焊接
LEADS
工作结
存储温度范围
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
V
ESD
dv / dt的
I
S
T
L
T
J
, T
英镑
价值
500
2.6
1.7
10
58
±30
120
2000
4.5 （注1 ）
2.6
260
55
150
单位
V
A
A
A
W
V
mJ
V
V / ns的
A
°C
°C
4
N沟道
D (2)
G (1)
S (3)
4
1
1 2
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. I
D
v
2.6 A， di / dt的
≤
200 A / MS ，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
≤
150°C.
3
IPAK
CASE 369D
方式2
2
3
DPAK
CASE 369AA
方式2
标记和订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
， 2010年7月
第0版
1
出版订单号：
NDD03N50Z/D
