【NDD03N50ZN沟道功率MOSFET500 V, 3.3W特点低导通电阻低栅电荷100％的雪崩测】,IC型号NDD03N50ZT4G,NDD03N50ZT4G PDF资料,NDD03N50ZT4G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NDD03N50Z

N沟道功率MOSFET

500 V, 3.3

特点

低导通电阻

低栅电荷

100％的雪崩测试

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

http://onsemi.com

DSS

500 V

DS （ ON）

（ MAX ） @ 1.15

3.3

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

连续漏电流

QJC

连续漏电流

QJC

, T

= 100°C

漏电流脉冲，V

@ 10 V

功耗

QJC

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量，

= 2.6 A

ESD （ HBM ）（ JESD22 - A114 ）

峰值二极管恢复

连续源电流

（体二极管）

最高温度焊接

LEADS

工作结

存储温度范围

符号

DSS

ESD

dv / dt的

, T

英镑

价值

500

2.6

1.7

±30

120

2000

4.5 （注1 ）

2.6

260

150

单位

V / ns的

°C

N沟道

D (2)

G (1)

S (3)

1 2

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1. I

2.6 A， di / dt的

≤

200 A / MS ，V

≤

DSS

, T

≤

150°C.

IPAK

CASE 369D

方式2

DPAK

CASE 369AA

方式2

标记和订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册第6页。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

， 2010年7月

第0版

出版订单号：

NDD03N50Z/D

NDD03N50Z

热阻

参数

结至外壳（漏）

结至环境稳态

NDD03N50Z

（注3 ） NDD03N50Z

（注2） NDD03N50Z - 1

符号

QJC

qJA

价值

2.2

单位

° C / W

2.插入安装

3.表面安装在FR4板采用1 “平方焊盘尺寸，（铜面积= 1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹）。

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度

系数

漏极至源极漏电流

DSS

的dBV

DSS

GSS

DS （ ON）

GS （ TH）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= 250 V，I

= 2.6 A,

= 10 V ，R

= 5

= 250 V，I

= 2.6 A,

= 10 V

= 0 V，I

= 1毫安

参考25℃ ，

= 1毫安

= 500 V, V

= 0 V

±20

= 10 V，I

= 1.15 A

= V

, I

= 50

= 15 V，I

= 1.15 A

3.0

1.8

274

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

2.3

5.5

6.4

4.5

2.8

25°C

150°C

500

0.6

±10

3.3

4.5

V /°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅 - 源正向漏

基本特征

（注4 ）

静态漏 - 源

导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ “米勒” ）费

高原电压

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

电阻开关特性

源极 - 漏极二极管的特性

= 25 ° C除非另有说明）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

4.脉冲宽度

≤

380

女士，

占空比

≤

2%.

= 2.6 A，V

= 0 V

= 0 V, V

= 30 V

= 2.6 A， di / dt的= 100 A / MS

240

0.7

1.6

http://onsemi.com

NDD03N50Z

4.0

3.5

，漏电流（ A）

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

5.5 V

5.0 V

，漏极至源极电压（ V）

6.0 V

= 10 V

7.0 V

，漏电流（ A）

6.5 V

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

= 150°C

55°C

= 25°C

= 25 V

图1.区域特征

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

5.00

4.75

4.50

4.25

4.00

3.75

3.50

3.25

3.00

2.75

2.50

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

8.5

3.5

3.4

3.3

3.2

3.1

3.0

2.9

2.8

2.7

2.6

2.5

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

= 10 V

= 25°C

= 1.15 A

= 25°C

9.0

9.5

10.0

，栅 - 源极电压（ V）

，漏电流（ A）

图3.对指定地区与栅极 - 源极

电压

DSS

归一化击穿电压（ V）

图4.导通电阻与漏

电流和栅极电压

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.50

2.25

2.00

1.75

1.50

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

100

125

= 1.15 A

= 10 V

1.15

= 1毫安

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

150

100

125

150

，结温（ ° C）

图5.导通电阻变化与

温度

图6. BV

DSS

随温度的变化

http://onsemi.com

NDD03N50Z

600

550

C，电容（pF ）

500

450

400

350

300

250

200

150

100

0.01

0.1

100

RSS

OSS

= 25°C

= 0 V

F = 1 MHz的

国际空间站

DSS

，漏电（毫安）

= 150°C

= 125°C

0.1

100 150 200 250 300 350 400 450 500

，漏极至源极电压（ V）

图7.漏 - 源极漏电流

与电压

图8.电容变化

= 250 V

= 2.6 A

= 25°C

250

200

150

100

，总栅极电荷（ NC）

图9.栅极 - 源极电压和

漏极至源极电压与总充电

1000

100

T， TIME （ NS ）

D（关闭）

D（上）

，源电流（ A）

= 250 V

= 2.6 A

= 10 V

10.0

1.0

= 150°C

125°C

25°C

55°C

0.1

0.3

，栅极电阻（ W）

100

0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

，栅 - 源极电压（ V）

300

1.2

图10.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图11.二极管的正向电压与

当前

http://onsemi.com

NDD03N50Z

100

30 V

单脉冲

= 25°C

，漏电流（ A）

100

1毫秒

10毫秒

0.1

0.01

0.1

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

100

1000

图12.最大额定正向偏置

安全工作区NDD03N50Z

，漏极至源极电压（ V）

R（ T）（ C / W ）

50 ％（占空比）

20%

10%

单脉冲

QJC

= 2.2 ° C / W

稳定状态

1E04

1E03

1E02

1E01

1E+00

1E+01

1E+02

1E+03

0.1

0.01

1E06

1E05

脉冲时间（ S）

图13.热阻抗（结到外壳）的NDD03N50Z

100

R（ T）（ C / W ）

50 ％（占空比）

20%

10%

5.0%

2.0%

1.0%

0.1

qJA

= 41 ° C / W

稳定状态

1E04

1E03

1E02

1E01

1E+00

1E+01

1E+02

1E+03

0.01

1E06

单脉冲

1E05

脉冲时间（ S）

图14.热阻抗（结到环境）的NDD03N50Z

http://onsemi.com

查看更多NDD03N50ZT4GPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

QQ：2880707522 复制

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

NDD03N50ZT4G

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

QQ：2881677436 复制

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

NDD03N50ZT4G

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市科恒伟业电子有限公司

QQ：

QQ：2881936556 复制

QQ：1838629145 复制

QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050

联系人：柯

地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室本公司可以开13%增值税发票以及3%普通发票！！

NDD03N50ZT4G

ON/安森美

21+

9850

TO-252

只做原装正品现货或订货！代理渠道订货假一赔三！

深圳市恒意法电子有限公司

QQ：

QQ：1244719342 复制

QQ：735585398 复制

电话：18026926850/0755-83247709/0755-83247721

联系人：朱小姐刘小姐

地址：深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室

NDD03N50ZT4G

ONSemiconductor

18+

700

原装现货，可开17%的增值票

深圳市俊晖半导体有限公司

QQ：

QQ：421123133 复制

电话：13410941925

联系人：李先生【原装正品,可开发票】

地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12

NDD03N50ZT4G

ON/安森美

24+

1955

TO-252

原装正品现货，可开增值税专用发票

深圳市金嘉锐电子有限公司

QQ：

QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859

联系人：朱先生

地址：深圳福田区振兴路华康大厦211

NDD03N50ZT4G

2025+

26820

DPAK

【原装优势★★★绝对有货】

深圳信泰电子器材有限公司

QQ：

QQ：1248156793 复制

QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658

联系人：廖先生

地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★

NDD03N50ZT4G

ON/安森美

24+

200

TO-252

100%原装正品，只做原装正品

深圳市集创讯科技有限公司

QQ：

QQ：2885393494 复制

QQ：2885393495 复制

电话：0755-83244680/82865294

联系人：吴小姐

地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室

NDD03N50ZT4G

ON/安森美

24+

16500

原装进口正品现货，只做原装，长期供货

深圳市向鸿伟业电子有限公司

QQ：

QQ：316279873 复制

QQ：2110158237 复制

QQ：932480677 复制

QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519

联系人：李先生

地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

NDD03N50ZT4G

ON/安森美

2414+

12749

TO-252

原装现货！量大可订！一片起卖！

深圳市银芯龙科技有限公司

QQ：

QQ：1184826453 复制

电话：13510131896

联系人：欧阳

地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514

NDD03N50ZT4G

20+

6000

TO252

百分之百原装进口现货

深圳市科恒伟业电子有限公司

QQ：

QQ：2881936556 复制

QQ：1838629145 复制

QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050

联系人：柯

地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室本公司可以开13%增值税发票以及3%普通发票！！

NDD03N50ZT4G

ON/安森美

1922+

9852

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！

深圳市春涛电子有限公司

QQ：

QQ：996334048 复制

QQ：570120875 复制

电话：0755-82563615 82563213

联系人：王云

地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室

NDD03N50ZT4G

2425+

11280

TO-252

全新原装！优势现货！

查询更多NDD03N50ZT4G供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司