NDF06N62Z ， NDP06N62Z
N沟道功率MOSFET
620 V, 0.98
W,
特点
低导通电阻
低栅电荷
100％的雪崩测试
这些器件是无铅和符合RoHS
V
DSS
620 V
等级
漏极至源极电压
连续漏电流
R
QJC
连续漏电流
R
QJC
, T
A
= 100°C
脉冲漏极电流，
V
GS
@ 10 V
功耗
QJC
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩
能源，我
D
= 6.0 A
静电放电（ HBM）的
（ JESD 22 - A114 ）
RMS的隔离电压
性（t = 0.3秒， R.H。
≤
30%,
T
A
= 25℃） （图14）
峰值二极管恢复
连续源
电流（体二极管）
最高温度
焊接信息
工作结
存储温度范围
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
V
ESD
V
ISO
4500
31
±30
113
3000
NDF06N62Z
NDP06N62Z
单位
V
A
A
A
113
W
V
mJ
V
V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
（ TYP ） @ 3一
0.98
Ω
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
620
6.0 （注1）
3.8 （注1 ）
20 （注1 ）
N沟道
D (2)
G (1)
S (3)
TO220FP
CASE 221D
风格1
记号
图
dv / dt的
I
S
T
L
T
J
, T
英镑
4.5 （注2）
6.0
260
55
150
V / ns的
A
°C
°C
TO220AB
CASE 221A
风格5
A
Y
WW
G
NDF06N62ZG
or
NDP06N62ZG
AYWW
门
来源
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.通过限制最高结温
2. I
SD
= 6.0 A， di / dt的
≤
100 A / MS ，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
= +150°C
漏
=地点代码
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NDF06N62ZG
NDP06N62ZG
包
TO220FP
（无铅）
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
在发展
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年4月
第0版
1
出版订单号：
NDF06N62Z/D
