【NDF06N62Z ， NDP06N62ZN沟道功率MOSFET620 V, 0.98W,特点低导通】,IC型号NDF06N62ZG,NDF06N62ZG PDF资料,NDF06N62ZG经销商,ic,电子元器件-51电子网

NDF06N62Z ， NDP06N62Z

N沟道功率MOSFET

620 V, 0.98

特点

低导通电阻

低栅电荷

100％的雪崩测试

这些器件是无铅和符合RoHS

DSS

620 V

等级

漏极至源极电压

连续漏电流

QJC

连续漏电流

QJC

, T

= 100°C

脉冲漏极电流，

@ 10 V

功耗

QJC

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩

能源，我

= 6.0 A

静电放电（ HBM）的

（ JESD 22 - A114 ）

RMS的隔离电压

性（t = 0.3秒， R.H。

≤

30%,

= 25℃）（图14）

峰值二极管恢复

连续源

电流（体二极管）

最高温度

焊接信息

工作结

存储温度范围

符号

DSS

ESD

ISO

4500

±30

113

3000

NDF06N62Z

NDP06N62Z

单位

113

http://onsemi.com

DS （ ON）

（ TYP ） @ 3一

0.98

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

620

6.0 （注1）

3.8 （注1 ）

20 （注1 ）

N沟道

D (2)

G (1)

S (3)

TO220FP

CASE 221D

风格1

记号

图

dv / dt的

, T

英镑

4.5 （注2）

6.0

260

150

V / ns的

°C

TO220AB

CASE 221A

风格5

NDF06N62ZG

NDP06N62ZG

AYWW

门

来源

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.通过限制最高结温

2. I

= 6.0 A， di / dt的

≤

100 A / MS ，V

≤

DSS

, T

= +150°C

漏

=地点代码

=年

=工作周

= Pb-Free包装

订购信息

设备

NDF06N62ZG

NDP06N62ZG

包

TO220FP

（无铅）

TO220AB

（无铅）

航运

50单位/铁

在发展

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2010年4月

第0版

出版订单号：

NDF06N62Z/D

NDF06N62Z ， NDP06N62Z

热阻

参数

结至外壳（漏）

结至环境稳态（注3 ）

符号

QJC

qJA

NDF06N62Z

4.0

NDP06N62Z

1.1

单位

° C / W

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度

系数

漏极至源极漏电流

= 0 V，I

= 1毫安

参考25℃ ，

= 1毫安

= 620 V, V

= 0 V

±20

= 10 V，I

= 3.0 A

= V

, I

= 100

= 15 V，I

= 3.0 A

25°C

125°C

GSS

DS （ ON）

GS （ TH）

国际空间站

OSS

RSS

= 310 V，I

= 6.0 A,

= 10 V

D（上）

= 310 V，I

= 6.0 A,

= 10 V ，R

= 5

D（关闭）

3.0

5.0

923

106

6.3

3.2

0.98

DSS

的dBV

DSS

620

0.6

±10

1.2

4.5

V /°C的

测试条件

符号

民

典型值

最大

单位

栅 - 源正向漏

基本特征

（注4 ）

静态漏 - 源

导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ “米勒” ）费

高原电压

栅极电阻

电阻开关特性

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

源极 - 漏极二极管的特性

= 25 ° C除非另有说明）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

3.插入安装

4.脉冲宽度

≤

380

女士，

占空比

≤

2%.

= 6.0 A，V

= 0 V

= 0 V, V

= 30 V

= 6.0 A， di / dt的= 100 A / MS

338

2.0

1.6

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NDF06N62Z ， NDP06N62Z

典型特征

= 25°C

，漏电流（ A）

15 V

10 V

≥

30 V

，漏电流（ A）

55°C

，栅 - 源极电压（ V）

= 150°C

= 25°C

6.8 V

6.6 V

6.4 V

6.2 V

6.0 V

5.8 V

5.6 V

，漏极至源极电压（ V）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

= 3 A

= 25°C

1.5

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

1.75

图2.传输特性

= 25°C

1.5

1.25

= 10 V

0.75

0.5

(V)

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与V

2.6

DS （ ON）

，漏 - 源

电阻（标准化）

2.2

1.8

1.4

1.0

0.6

0.2

= 3 A

= 10 V

DSS

归一化击穿

电压（V）的

1.15

1.1

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

= 1毫安

1.05

1.0

0.95

0.9

100

125

150

100

125

150

，结温（ ° C）

图5.导通电阻变化与

温度

图6. BVDSS随温度的变化

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NDF06N62Z ， NDP06N62Z

典型特征

100

= 0 V

DSS

，漏电（毫安）

= 150°C

C，电容（pF ）

1500

2000

= 0 V

= 25°C

1000

国际空间站

0.1

= 100°C

500

OSS

RSS

0.01

100

200

300

400

500

600

100

150

200

，漏极至源极电压（ V）

图7.漏 - 源极漏电流

与电压

，栅 - 源极电压（ V）

200

QGS

QGD

= 310V

= 25°C

= 6 A

100

400

1000

，漏极至源极电压（ V）

图8.电容变化

300

= 310 V

= 6 A

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

D（关闭）

D（上）

，栅极电阻（ W）

100

QG ，总栅极电荷（ NC）

图9.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

，源电流（ A）

0.4

= 0 V

= 25°C

100

图10.电阻开关时间变化

与栅极电阻

，漏电流（ A）

10毫秒1毫秒

100

0.1

= 10 V

单脉冲

= 25°C

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

100

1000

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.01

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图11.二极管的正向电压与电流

图12.最大额定正向偏置

对于NDF06N62Z安全工作区

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NDF06N62Z ， NDP06N62Z

典型特征

1.0

R（ T）（ C / W ）

50 ％（占空比）

20%

10%

5.0%

2.0%

1.0%

0.1

0.01

单脉冲

0.001

0.000001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

脉冲时间（ S）

0.1

1.0

100

1000

QJC

= 4.0 ° C / W

稳定状态

图13. NDF06N62Z热阻抗

LEADS

散热器

0.110 “MIN

图14.隔离测试图

测量线和散热片与短接在一起，所有的引线之间进行。

*对于额外的安装信息，请下载安森美半导体

焊接与安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

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