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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第184页 > NP35N04YUG-E1-AY
初步
数据表
NP35N04YUG
MOS场效应
描述
R07DS0016EJ0100
Rev.1.00
2010年7月1日
该NP35N04YUG是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
特点
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 10 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 17.5 A)
低西塞：西塞= 1900 pF的典型。 （V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V)
专为汽车应用和AEC- Q101标准
小尺寸封装8脚HSON
订购信息
产品型号
NP35N04YUG -E1 - AY
1
NP35N04YUG -E2 - AY
1
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
带2500 P /卷
包
8引脚HSON ，大坪（ E1型）
8引脚HSON ，大坪（ E2型）
注意：
1.无Pb （此产品不包含铅，在外部电极）。
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
项
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
1
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
2
通道温度
储存温度
重复性雪崩电流
3
重复性雪崩能量
3
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AR
E
AR
评级
40
±20
±35
±105
77
1.0
175
55
to
+175
22
48
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
热阻
通道到外壳热阻
2
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
1.95
150
° C / W
° C / W
注意事项：
1. T
C
= 25 ° C， PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.安装在40毫米×40毫米× 0.8万吨环氧玻璃基板
*3. T
通道（峰值）
≤
150℃ ，R
G
= 25
Ω
R07DS0016EJ0100 Rev.1.00
2010年7月1日
第1页6
NP35N04YUG
章标题
电气特性（T
A
= 25°C)
项
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门源阈值电压
正向转移导纳
1
漏极至源极导通状态
1
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
1
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
1.脉冲
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
Ω
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
民
典型值
2.0
8.0
3.0
16
7.9
1900
190
120
18
10
38
5
36
10
12
0.9
31
30
最大
1
±100
4.0
10
2850
290
220
36
25
76
13
54
单位
μ
A
nA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试条件
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 5 V，I
D
= 17.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 17.5 A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 20 V，I
D
= 17.5 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 0
Ω
V
DD
= 32 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 35 A
I
F
= 35 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 35 A，V
GS
= 0 V,
的di / dt = 100 A /
μ
s
1.5
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
τ
τ
= 1
μ
s
占空比
≤
1%
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
R07DS0016EJ0100 Rev.1.00
2010年7月1日
第2 6
NP35N04YUG
章标题
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置安全的降额因子
工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
90
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
总功耗对比
外壳温度
P
T
- 总功耗 - W
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
1000
d
IT ê
IM ）
)
L
V
on
1
0
S(
R
S
= 1
G
(V
1
T
C
- 外壳温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
100
I
D（脉冲）
PW
=1
1
00
μ
s
10
功耗有限公司
1
1
m
1
1
1
0
m
1
s
s
1
T
C
= 25C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
第（章-a）的
： 150 ° C / W
100
10
R
TH（ CH-C ）
： 1.95 ° C / W
1
0.1
单脉冲
装在40毫米×40毫米× 0.8万吨环氧玻璃基板
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
R07DS0016EJ0100 Rev.1.00
2010年7月1日
第3页6
NP35N04YUG
漏电流与
漏源极电压
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
100
10
1
0.1
0.01
0.001
2
3
4
5
T
A
=
55°C
25°C
75°C
125°C
175°C
章标题
正向传递特性
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
= 10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
脉冲
1
1.5
V
DS
= 10 V
脉冲
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
门源阈值电压
与通道温度
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-100
0
100
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μA
200
远期转移导纳主场迎战漏
当前
100
TA =
55°C
25°C
75°C
10
125°C
175°C
1
0.1
1
10
V
DS
= 5 V
脉冲
100
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
20
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
20
15
15
I
D
= 35A
17.5 A
7A
10
10
5
V
GS
= 10 V
脉冲
0.1
1
10
100
1000
5
脉冲
0
5
10
15
20
0
0
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R07DS0016EJ0100 Rev.1.00
2010年7月1日
第4 6
NP35N04YUG
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
25
20
15
10
5
0
-100
V
GS
= 10 V
I
D
= 17.5 A
脉冲
10000
章标题
电容与漏源极电压
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
C
国际空间站
1000
100
V
GS
= 0 V
F = 1MHz的
0.1
1
10
C
OSS
C
RSS
10
0
100
200
100
T
ch
- 通道温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
1000
动态输入/输出特性
40
12
10
V
DD
= 32 V
20 V
8V
V
GS
8
6
4
V
DS
2
0
0
10
20
30
40
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
35
30
25
20
15
10
5
0
100
t
D（关闭）
10
t
D（上）
t
r
t
f
1
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
反向恢复时间对比
漏电流
100
源极到漏极二极管的正向电压
1000
100
V
GS
= 10 V
0V
10
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
10
1
脉冲
0.1
0
0.5
1
1.5
1
0.1
1
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
10
100
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 漏电流 - 一个
R07DS0016EJ0100 Rev.1.00
2010年7月1日
分页： 5 6
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DD
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
Ω
I
D
= 35 A
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NP35N04YUG-E1-AY
N/A
22+
32570
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