晶体管
2SD1478 ， 2SD1478A
NPN硅外延平面型达林顿
单位：mm
对于低频放大
0.40
+0.10
0.05
3
0.16
+0.10
-0.06
2.8
+0.2
-0.3
1
2
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
-0.05
10°
q
1.1
+0.2
-0.1
参数
集电极
基极电压
集电极
2SD1478
2SD1478A
2SD1478
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
30
60
25
50
5
750
500
200
150
–55 ~ +150
单位
V
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
发射极电压2SD1478A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
V
mA
mA
mW
C
C
0-0.1
1.1
+0.3
-0.1
s
绝对最大额定值
(Ta=25C)
(0.65)
EIAJ ： SC- 59
Mini3 -G1封装
标记符号：
2N
(2SD1478)
2O
(2SD1478A)
内部连接
C
B
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
收藏家基地
电压
集电极到发射极
电压
2SD1478
2SD1478A
2SD1478
2SD1478A
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE*1
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
条件
V
CB
= 25V ，我
E
= 0
V
EB
= 4V ，我
C
= 0
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 100μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安
*2
I
C
= 500毫安，我
B
- 0.5毫安
*2
I
C
= 500毫安，我
B
- 0.5毫安
*2
V
CB
= 10V ，我
E
= -50mA ， F = 200MHz的
200
*2
民
典型值
5°
q
正向电流传输比H
FE
设计高，这是AP-
propriate到电机和打印机·巴默尔的驱动器电路：小时
FE
= 4000 20000 。
分流电阻器从驱动器被删去。
E
最大
100
100
单位
nA
nA
V
30
60
25
50
5
4000
20000
2.5
3.0
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
*1
h
FE1
兆赫
脉冲测量
等级分类
秩
h
FE1
Q
R
4000 ~ 10000 8000 ~ 20000
2SD1478
2SD1478A
2NQ
2OQ
2NR
2OR
记号
符号
622
0.4
±0.2
s
特点
1.50
+0.25
-0.05
V
V
V
V
