【晶体管2SD1478 ， 2SD1478ANPN硅外延平面型达林顿单位：mm对于低频放大0.65±0】,IC型号2SD1478A,2SD1478A PDF资料,2SD1478A经销商,ic,电子元器件-51电子网

晶体管

2SD1478 ， 2SD1478A

NPN硅外延平面型达林顿

单位：mm

对于低频放大

0.65±0.15

2.8

–0.3

+0.2

1.5

–0.05

+0.25

0.65±0.15

2.9

–0.05

1.9±0.2

+0.2

正向电流传输比H

设计高，这是AP-

propriate到电机和打印机·巴默尔的驱动器电路：小时

= 4000 20000 。

分流电阻器从驱动器被删去。

(Ta=25C)

评级

750

500

200

150

–55 ~ +150

单位

0.95

0.4

–0.05

+0.1

1.45

特点

+0.2

1.1

–0.1

集电极

基极电压

集电极

2SD1478

2SD1478A

2SD1478

CBO

首席执行官

EBO

英镑

发射极电压2SD1478A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

1 ：基本

2 ：发射器

3 ：收藏家

JEDEC ： TO- 236

EIAJ ： SC- 59

迷你型包装

标记符号：

(2SD1478)

(2SD1478A)

内部连接

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

收藏家基地

电压

集电极到发射极

电压

2SD1478

2SD1478A

2SD1478

2SD1478A

0-0.1

参数

符号

为0.1 0.3

0.4±0.2

0.8

绝对最大额定值

(Ta=25C)

符号

CBO

EBO

CBO

首席执行官

EBO

FE*1

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

条件

= 25V ，我

= 0

= 4V ，我

= 0

= 100μA ，我

= 0

= 1mA时，我

= 0

= 1mA时，我

= 0

= 100μA ，我

= 0

= 10V ，我

= 500毫安

= 500毫安，我

- 0.5毫安

= 500毫安，我

- 0.5毫安

= 10V ，我

= -50mA ， F = 200MHz的

200

民

典型值

最大

100

0.16

–0.06

+0.1

单位

4000

20000

2.5

3.0

发射器基极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极电压

跃迁频率

FE1

兆赫

等级分类

秩

FE1

4000 ~ 10000 8000 ~ 20000

2SD1478

2SD1478A

2NQ

2OQ

2NR

2OR

脉冲测量

记号

符号

晶体管

- TA

240

1000

300

2SD1478 ， 2SD1478A

— V

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

Ta=25C

100

–25C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

CE （ SAT ）

— I

=1000

集电极耗散功率P

（ mW）的

200

集电极电流I

（MA ）

100

0.3

=50A

45A

40A

35A

160

25C

Ta=75C

120

30A

25A

20A

15A

10A

120

160

200

0.1

0.3

100

0.1

0.3

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

(V)

集电极电流I

(A)

BE （ SAT ）

— I

100

— I

— V

集电极输出电容C

（PF ）

=10V

f=1MHz

Ta=25C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

=1000

25C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

Ta=–25C

75C

正向电流传输比H

25C

Ta=75C

–25C

0.1

0.3

0.01 0.03

0.1

0.3

100

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

集电极基极电压V

(V)

晶体管

2SD1478 ， 2SD1478A

NPN硅外延平面型达林顿

单位：mm

对于低频放大

0.40

+0.10

0.05

0.16

+0.10

-0.06

2.8

+0.2

-0.3

(0.95) (0.95)

1.9

±0.1

2.90

+0.20

-0.05

10°

1.1

+0.2

-0.1

参数

集电极

基极电压

集电极

2SD1478

2SD1478A

2SD1478

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

评级

750

500

200

150

–55 ~ +150

单位

1 ：基本

2 ：发射器

3 ：收藏家

发射极电压2SD1478A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

0-0.1

1.1

+0.3

-0.1

绝对最大额定值

(Ta=25C)

(0.65)

EIAJ ： SC- 59

Mini3 -G1封装

标记符号：

(2SD1478)

(2SD1478A)

内部连接

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

收藏家基地

电压

集电极到发射极

电压

2SD1478

2SD1478A

2SD1478

2SD1478A

(Ta=25C)

符号

CBO

EBO

CBO

首席执行官

EBO

FE*1

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

条件

= 25V ，我

= 0

= 4V ，我

= 0

= 100μA ，我

= 0

= 1mA时，我

= 0

= 1mA时，我

= 0

= 100μA ，我

= 0

= 10V ，我

= 500毫安

= 500毫安，我

- 0.5毫安

= 500毫安，我

- 0.5毫安

= 10V ，我

= -50mA ， F = 200MHz的

200

民

典型值

5°

正向电流传输比H

设计高，这是AP-

propriate到电机和打印机·巴默尔的驱动器电路：小时

= 4000 20000 。

分流电阻器从驱动器被删去。

最大

100

单位

4000

20000

2.5

3.0

发射器基极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极电压

跃迁频率

FE1

兆赫

脉冲测量

等级分类

秩

FE1

4000 ~ 10000 8000 ~ 20000

2SD1478

2SD1478A

2NQ

2OQ

2NR

2OR

记号

符号

622

0.4

±0.2

特点

1.50

+0.25

-0.05

晶体管

- TA

240

1000

300

2SD1478 ， 2SD1478A

— V

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

Ta=25C

100

–25C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

CE （ SAT ）

— I

=1000

集电极耗散功率P

（ mW）的

200

集电极电流I

（MA ）

100

0.3

=50A

45A

40A

35A

160

25C

Ta=75C

120

30A

25A

20A

15A

10A

120

160

200

0.1

0.3

100

0.1

0.3

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

(V)

集电极电流I

(A)

BE （ SAT ）

— I

100

— I

— V

集电极输出电容C

（PF ）

=10V

f=1MHz

Ta=25C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

=1000

25C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

Ta=–25C

75C

正向电流传输比H

25C

Ta=75C

–25C

0.1

0.3

0.01 0.03

0.1

0.3

100

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

集电极基极电压V

(V)

623

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2001年MAR