DG3157A ， DG3157B
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考V +至GND
S，A ，B
a
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
功率耗散（包）
b
D-后缀
miniQFN-6
c
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 50
± 200
- 65 150
160
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在A或B或S超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免2.0毫瓦/°C， 70°C以上。
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
DC特性
符号
V+ = 3.0 V, V
SL
= 0.5 V, V
SH
= 2.0 V
e
V + = 1.65 1.95 V
高电平输入电压
V
SH
V + = 2.0 2.6 V
V + = 2.7 3.6 V
V + = 4.5 5.5 V
V + = 1.65 1.95 V
低电平输入电压
V
SL
V + = 2.0 2.6 V
V + = 2.7 3.6 V
V + = 4.5 5.5 V
V
BN
= 0 V，I
A
= 30毫安
V+ = 4.5 V
V
BN
= 2.4 V，I
A
= - 30毫安
V
BN
= 4.5 V，I
A
= - 30毫安
导通电阻
R
ON
V+ = 3.0 V
V+ = 2.3 V
V+ = 1.65 V
V
BN
= 0 V，I
A
= 24毫安
V
BN
= 3.0 V，I
A
= - 24毫安
V
BN
= 0 V，I
A
= 8毫安
V
BN
= 2.3 V，I
A
= - 8毫安
V
BN
= 0 V，I
A
= 4毫安
V
BN
= 1.65 V，I
A
= - 4毫安
V + = 4.5 V，I
A
= - 30毫安
导通电阻平坦度
R
平
0℃， V
BN
< V +
V + = 3.0 V，I
A
= - 24毫安
V + = 2.3 V，I
A
= - 8毫安
V + = 1.65 V，I
A
= - 4毫安
V+ = 4.5 V, V
BN
= 3.15 V，I
A
= - 30毫安
导通电阻匹配
通道之间
ΔR
ON
V+ = 3.0 V, V
BN
= 2.1 V，I
A
= - 24毫安
V+ = 2.3 V, V
BN
= 1.6 V，I
A
= - 8毫安
V+ = 1.65 V, V
BN
= 1.15 V，I
A
= - 4毫安
输入漏电流
I
S
I
BN （关闭）
I
英国国民（上）
V+ = 5.5 V,
V
A
= 5.5 V,
V
S
= 0.8 V, 2.4 V
DG3157B
满
DG3157A
房间
满
房间
满
- 1.0
- 0.1
- 1.0
- 0.1
- 1.0
2.5
7.0
0.1
1.0
0.1
1.0
A
- 1.0
房间
满
4.8
5.7
10.3
5.9
13.7
7
16.2
9.2
24
8
13
24
89
0.8
0.1
0.2
0.9
1.0
满
温度。
a
范围
- 40 ° C至85°C
分钟。
b
1.2
1.4
2.0
2.4
0.3
0.4
0.5
0.8
7
12
15
9
20
12
30
20
50
Ω
V
典型值。
c
马克斯。
b
单位
起飞阶段漏电开关
在国家漏电开关
V+ = 5.5 V, V
A
/V
B
= 0 V/5.5 V
V+ = 5.5 V, V
A
/V
B
= 0 V/5.5 V
www.vishay.com
2
文档编号： 68628
S- 81944 -REV 。 C， 25 - 8 - 08
