BD9006F ， BD9006HFP ， BD9007F ， BD9007HFP
SW
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
技术说明
INV
RT
内部电源
内部电源
SW
RT
167k
INV
1k
EN / SYNC
V
IN
内部电源
FB
V
IN
内部电源
EN /
SYNC
60k
222
k
145
k
221
k
139
k
FB
1k
1k
20
图28的等效电路
注意事项
对于使用
1.绝对最大额定值
如果过量的绝对最大额定值，如电源电压，工作条件温度范围等，可以打破
断器件，从而使得不可能识别断裂模式，例如短路或开路。如果有任何超过额定
价值预计将超过绝对最大额定值，可以考虑增加电路保护装置，如保险丝。
2. GND电位
地面GND电位应在最小离地电压电平维持。此外，没有任何的终端应该是低
比GND电位电压包括电瞬变。
3.热设计
使用散热设计，允许有足够余量的光功率损耗在实际工作条件下（ PD）的。
4.跨脚短裤和安装错误
当附着于集衬底，要特别注意的方向和IC的正确放置。如果该IC被安装
不正确，则可能被破坏。
此外，使用IC与VIN和EN时/ SYNC端子短接，并且该5针（ SOP8封装）或7针（ HRP7
包）的EN / SYNC端子和6针RT端子被短路，该IC也可能被损坏时VIN>7V 。
5.操作在强电磁场
在一个强电磁场，因为这样做的存在下使用IC可能引起IC时务必小心
故障。
6.检查组与印刷电路板
当应用电路板测试IC ，电容连接到低阻抗的引脚科目IC压力。
务必要释放每个过程或步骤之后电容器。务必将IC的电源关闭其连接到之前，或
从一个夹具或夹具中取出，在检验过程中。在装配过程中的步骤作为抗静电接地集成电路
测量。运输和储存的IC时，使用类似的预防措施。
7. IC引脚输入（图26 ）
该单片IC中包含相邻元件之间的P +隔离和P基底层，使他们孤立。 P -N
结形成于与其他元素的N个层，这些层P的交点，产生寄生，创造
的寄生二极管或晶体管。例如，每个电势之间的关系如下：
当
GND>pin A和GND>pin B时， PN结作为一个寄生二极管。
当
销乙>GND>pin A时， PN结作为一个寄生晶体管。寄生二极管可能会发生不可避免的
该集成电路的结构。寄生二极管的动作可能会导致电路之间的相互干扰，操作
故障或物理损坏。因此，方法由寄生二极管进行操作，如施加的电压是
比GND（ P衬底）电压的输入端子低，不宜使用。
电阻器
（ A端）
（ B候机楼）
晶体管（ NPN ）
（ A端）
寄生元件
（ B候机楼）
P型衬底
寄生元件
寄生元件
P型衬底
寄生元件
单片IC图29的典型结构简单
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