三菱功率MOSFET
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Y
FY7BCH-02B
高速开关使用
N沟道功率MOSFET
性能曲线
功耗降额曲线
2.0
最大安全工作区
7
5
TW = 10微秒
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
1.6
3
2
100s
1ms
10
1
7
5
3
2
1.2
0.8
10
0
7
5
3
2
T
C
= 25°C
单脉冲
10ms
0.4
100ms
0
10
–1
0
50
100
150
200
7
2
3
5 7
10
0
2
3
5 7
10
1
DC
2
3
案例温度T
C
(°C)
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
50
V
GS
= 4V
P
D
= 1.6W
3V
2.5V
输出特性
（典型值）
20
V
GS
= 4V,3V,2.5V
2V
TC = 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
40
16
30
2V
TC = 25°C
脉冲测试
12
1.5V
20
8
10
1.5V
4
P
D
= 1.6W
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
2.0
40
TC = 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
V
GS
= 2.5V
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
(m)
1.6
32
1.2
24
4V
0.8
I
D
= 14A
7A
3A
16
TC = 25°C
脉冲测试
0.4
8
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
漏电流I
D
(A)
1999年8月
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
