三菱功率MOSFET
.
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NGE 。
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N
一些
P
AR
IMIN
REL
Y
FY7BCH-02B
高速开关使用
N沟道功率MOSFET
电气特性
（总胆固醇= 25 ℃）下
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
第（章-a）的
t
rr
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源通态电压
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
测试条件
范围
分钟。
20
—
—
0.5
—
—
—
—
—
—
—
—
V
DD
= 10V ，我
D
= 3.5A ，V
GS
= 4V ，R
根
= R
GS
= 50
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
0.8
17
21
0.119
20
1350
400
300
30
80
150
160
0.75
—
50
马克斯。
—
±0.1
0.1
1.3
21
30
0.147
—
—
—
—
—
—
—
—
1.10
78.1
—
单位
V
A
mA
V
m
m
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
I
D
= 7A ，V
GS
= 4V
漏极 - 源极导通电阻我
D
= 3.5A ，V
GS
= 2.5V
漏源通态电压I
D
= 7A ，V
GS
= 4V
I
D
= 7A ，V
DS
= 10V
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
I
S
= 1.5A ，V
GS
= 0V
渠道ambiet
I
S
= 1.5A ，D
is
/d
t
= -50A /微秒
1999年8月
