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EDD10163BBH-LS
t0
CK
/ CK
t0.5
t1
t1.5
t2
t2.5
t3
t3.5
t4
t4.5
t5
t5.5
命令
读
NOP
tRPRE
tRPST
的DQ
TAC ， tDQSCK
VTT
DQ
out0
out1
out2
out3
VTT
读操作（ / CAS延迟）
写操作
脉冲串长度（ BL）以及将模式寄存器的脉冲串类型（BT ）被称为发一个写命令时。
脉冲串长度（BL）确定一个连续的数据输入的由写命令的长度可以被设置为2， 4,8-
或16从写命令到数据输入端的延迟时间被固定为1的突发写入的起始地址被定义
由列地址，银行选择地址（请参见“引脚功能” ）中的周期发出写命令时。
DQS应突发操作期间被输入作为选通输入数据和DM为好。 tWPRE先于所述第一
上升的DQS的边沿， DQS必须设置为低。 tWPST DQS的最后一个下降沿后， DQS引脚可
改变为高阻抗。 DQS的领先的低周期称为写序言。 DQS最后低周期
称为写后同步。
CK
/ CK
命令
NOP
法案
ROW
tRCD的
NOP
WRIT
COLUMN
NOP
地址
tWPRE
BL = 2
in0
in1
tWPST
的DQ
DQ
BL = 4
in0
in1
in2
in3
BL = 8
in0
in1
in2
in3
in4
in5
in6
in7
BL = 16
in0
in1
in2
in3
in4
in5
in6
in7
in
14
in
15
BL ：突发长度
写操作
初步数据表E1436E30 （版本3.0 ）
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