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初步数据表
1G DDR位移动RAM
WTR （宽温度范围） ，低功耗功能
EDD10163BBH -LS （ 64M字
×
16比特）
特定网络阳离子
密度： 1G位
组织： 16M字
×
16位
×
4银行
包装： 60球FBGA
无铅（符合RoHS）和无卤素
电源： VDD ， VDDQ
=
1.7V至1.95V
数据传输速率： 400Mbps的/ 333Mbps （最大）
2KB页大小
行地址： A0到A13
列地址： A0到A9
四大银行内部的并发操作
接口： LVCMOS
脉冲串长度（BL） ： 2，4 ，8，16
突发类型（BT） ：
顺序（2 ，4，8 ，16）
交织（2 ，4，8 ，16）
/ CAS延迟（ CL ） ： 3
预充电：对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
驱动力：正常， 1/2，1/4 ， 1/8
刷新：自动刷新，自刷新
刷新周期： 8192次/ 64ms的
平均更新周期： 7.8μs
工作环境温度范围
TA =
25°C
至+ 85°C
特点
DLL未实现
低功耗
部分阵列自刷新（ PASR ）
自动温度补偿自刷新
（ ATCSR ）通过内置的温度传感器
深度掉电模式
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
一个时钟周期
高速数据传输是通过2位来实现
预取流水线结构
双向数据选通（ DQS）被发送
/接收的数据，并在接收捕获数据。
数据的输入，输出和DM与同步
的DQ
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
命令中输入的每个正CK边缘：数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码（DM）写入数据
突发终止突发停止命令和
预充电命令
工作温度范围宽
TA =
25°C
至+ 85°C
一号文件E1436E30 （版本3.0 ）
发布日期2009年10月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面，公司2008-2009年
