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QL82SD器件数据手册版本C
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表35 ： 2.5 V摆率
VCCIO = 2.5 V
上升沿
下降沿
快速转换
1.7 V / ns的
1.9 V / ns的
慢速回转
0.6 V / VS
0.6 V / ns的
注意：
条件： 2.5 V ， 25
°
C
可编程弱上拉
可编程弱上拉下拉电阻可在每个I / O 。 I / O弱上拉下来
无需外部下拉电阻用于I / O。该规范的下拉
电流的最大值为150微安的最坏情况的条件下进行。
-
148微安@ 3.6 V ，
-
55
°
C,
-
69微安@ 2.5 V ， 25
°
C.
图53
示出的弱下拉电路。
I / O
注册1
PAD
图53 ： I / O弱下拉电路
I / O控制和局部的Hi-驱动器
I / O的每个存储体具有两个输入专用管脚可被编程，以驱动RST ，CLK
和I / O在该银行EN输入。这些仅输入引脚还兼任高驱动器输入
一个象限。既作为一个I / O控制或高驱动器，这些缓冲区可以由驱动
内部逻辑。在I / O控制网络和本地高驱动性能被表示在
表36
.
表36 ： I / O控制网络/本地的Hi-驱动器性能
TT ， 25℃ ， 2.5V
I / O （慢）
I / O （快）
SKEW
从PAD
1.00纳秒
0.63纳秒
0.37纳秒
从Array
1.14纳秒
0.78纳秒
0.36纳秒
44
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