功率晶体管
2SD1751
硅NPN三重扩散平面型
单位：mm
进行功率放大
7.2±0.3
0.8±0.2
7.0±0.3
3.0±0.2
3.5±0.2
补充2SB1170
s
特点
q
q
10.0
–0.
+0.3
1.1±0.1
0.85±0.1
0.4±0.1
q
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的
线性
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
I型包使散热片直接焊接到
在印刷电路板，小型电子设备等。
(T
C
=25C)
评级
60
60
6
4
2
15
1.3
150
-55到+150
单位
V
1.0±0.2
0.75±0.1
2.3±0.2
4.6±0.4
1
2
3
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
I型包
3.5±0.2
2.0±0.2
7.0±0.3
单位：mm
0 0.15
3.0±0.2
10.2±0.3
7.2±0.3
V
A
A
1.0最大。
2.5
0.75±0.1
1.1±0.1
0.5 MAX 。
0.9±0.1
0 0.15
W
1
2
3
C
C
2.3±0.2
4.6±0.4
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
我型封装（ Y）
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
(T
C
=25C)
符号
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
BE
V
CE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
C
= 1A ，我
B1
= 0.1A ，我
B2
= – 0.1A
条件
V
CE
= 60V, V
BE
= 0
V
CE
= 30V ，我
B
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
I
C
= 30mA时我
B
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 0.1A
V
CE
= 4V ，我
C
= 1A
V
CE
= 4V ，我
C
= 1A
I
C
= 2A ，我
B
= 0.2A
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.5A ， F = 1MHz的
20
0.2
3.5
0.7
60
35
70
250
1.2
2
V
V
兆赫
s
s
s
民
典型值
最大
200
300
1
单位
A
A
mA
V
FE2
等级分类
Q
70至150
P
120至250
秩
h
FE2
2.5±0.2
1.0
2.5±0.2
V
1.0
1
