【功率晶体管2SD1751硅NPN三重扩散平面型单位：mm进行功率放大7.2±0.30.8±0.27.】,IC型号2SD1749AP,2SD1749AP PDF资料,2SD1749AP经销商,ic,电子元器件-51电子网

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功率晶体管

2SD1751

硅NPN三重扩散平面型

单位：mm

进行功率放大

7.2±0.3

0.8±0.2

7.0±0.3

3.0±0.2

3.5±0.2

补充2SB1170

s

特点

q

q

10.0

–0.

+0.3

1.1±0.1

0.85±0.1

0.4±0.1

q

高正向电流传输比H

FE

它具有良好的

线性

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

I型包使散热片直接焊接到

在印刷电路板，小型电子设备等。

(T

C

=25C)

评级

60

60

6

4

2

15

1.3

150

-55到+150

单位

V

1.0±0.2

0.75±0.1

2.3±0.2

4.6±0.4

1

2

3

s

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

I型包

3.5±0.2

2.0±0.2

7.0±0.3

单位：mm

0 0.15

3.0±0.2

10.2±0.3

7.2±0.3

V

A

A

1.0最大。

2.5

0.75±0.1

1.1±0.1

0.5 MAX 。

0.9±0.1

0 0.15

W

1

2

3

C

C

2.3±0.2

4.6±0.4

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

我型封装（ Y）

s

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极到发射极电压

正向电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

(T

C

=25C)

符号

I

CES

I

首席执行官

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1

h

FE2*

V

BE

V

CE （ SAT ）

f

T

t

on

t

英镑

t

f

I

C

= 1A ，我

B1

= 0.1A ，我

B2

= – 0.1A

条件

V

CE

= 60V, V

BE

= 0

V

CE

= 30V ，我

B

= 0

V

EB

= 6V ，我

C

= 0

I

C

= 30mA时我

B

= 0

V

CE

= 4V ，我

C

= 0.1A

V

CE

= 4V ，我

C

= 1A

V

CE

= 4V ，我

C

= 1A

I

C

= 2A ，我

B

= 0.2A

V

CE

= 10V ，我

C

= 0.5A ， F = 1MHz的

20

0.2

3.5

0.7

60

35

70

250

1.2

2

V

V

兆赫

s

s

s

民

典型值

最大

200

300

1

单位

A

A

mA

V

FE2

等级分类

Q

70至150

P

120至250

秩

h

FE2

2.5±0.2

1.0

2.5±0.2

V

1.0

1

功率晶体管

P

C

- TA

20

5

(1) T

C

= TA

（2）不带散热片

(P

C

=1.3W)

T

C

=25C

5

I

B

=100mA

80mA

3

50mA

40mA

2

30mA

20mA

1

(2)

0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

0

2

4

6

8

10

12

10mA

5mA

1mA

0

0

0.5

1.0

1.5

25C

2SD1751

I

C

— V

CE

6

V

CE

=4V

I

C

— V

BE

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

(A)

15

集电极电流I

C

(A)

(1)

4

T

C

=100C

4

–25C

10

3

2

5

1

2.0

2.5

3.0

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

100

I

C

/I

B

=10

30

10

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

T

C

=100C

25C

10000

h

FE

— I

C

1000

V

CE

=4V

300

100

30

10

3

1

0.3

0.1

0.01 0.03

f

T

— I

C

V

CE

=10V

f=1MHz

T

C

=25C

正向电流传输比H

FE

1000

300

100

30

10

3

1

0.01 0.03

T

C

=100C

25C

–25C

–25C

0.1

0.3

1

3

10

0.1

0.3

1

3

10

过渡频率f

T

（兆赫）

3000

0.1

0.3

1

3

10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

安全操作区（ ASO ）

100

30

10

3

非重复脉冲

T

C

=25C

R

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个50

×

50

×

2毫米铝散热片

热阻R

th

（吨）（ C / W）

集电极电流I

C

(A)

10

I

CP

3

I

C

1

300ms

0.3

0.1

0.03

0.01

1

3

10

30

t=10ms

10

2

(1)

(2)

1ms

10

1

100

300

1000

10

–1

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

10

2

10

3

10

4

集电极到发射极电压V

CE

(V)

时间t （S ）

2

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