【2SK1670硅N沟道MOS FET应用高速电源开关特点低导通电阻高速开关低驱动电流内置的快速恢复二】,IC型号2SK1670,2SK1670 PDF资料,2SK1670经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK1670

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

内置的快速恢复二极管（T

= 90纳秒）

适用于电机控制，开关稳压器，直流 - 直流转换器

概要

TO-3PFM

1.门

2.漏

3.源

2SK1670

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项1. PW

≤

占空比

≤

2.价值在T

= 25°C

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

PCH *

总胆固醇

TSTG

评级

250

±30

120

150

-55到+150

单位

°C

2SK1670

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号最小值

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

250

±30

—

2.0

—

典型值

—

0.075

3100

1330

190

170

270

150

1.0

最大

—

±10

250

3.0

0.095

—

单位

= 30 A，V

= 0

= 30 A，V

= 0,

/ DT = 100 A / μs的

= 15 A，V

= 10 V,

= 2

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±25

V, V

= 0

= 200 V, V

= 0

= 1毫安， V

= 10 V

= 15 A，V

= 10 V *

= 15 A，V

= 10 V *

= 10 V, V

= 0,

F = 1 MHz的

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

见2SK1669的特性曲线。

2SK1670

功率与温度降额

120

通道耗散P沟（W）的

1,000

300

漏电流I

(A)

100

最高安全工作区

TIO

TA = 25°C

)

°C

)

0.3

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

0.1

100

案例温度T

(°C)

150

100 300 1,000

漏极至源极电压V

(V)

归瞬态热阻抗

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

D=1

0.5

0.3

0.1

0.2

= 25°C

1.0

0.1

0.05

θch -C

(t) =

(t) ·

θch -C

= 2.08 ° C / W ，T

= 25°C

ULSE

OT P

0.03

0.01

0.02

0.01

10 m

脉冲宽度PW （S ）

100 m

D = PW

100

单位：mm

5.0

0.3

15.6

0.3

0.4

φ3.2

+ 0.2

–

5.5

0.3

2.7

1.0

0.2

5.45

0.5

5.45

0.5

21.0

0.5

4.0

2.6

1.4最大

5.0

19.9

0.3

3.2

1.6

1.4最大

0.6

0.2

日立代码

JEDEC

EIAJ

重量（参考值）

TO-3PFM

—

5.6 g

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