2SD2133
P
C
T
a
2.0
无散热片
1.2
Ta=25C
I
B
= 10毫安9毫安
1.0
8mA
7mA
1.0
功率晶体管
I
C
V
CE
1.2
V
CE
=10V
Ta=25C
I
C
I
B
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
0.8
5mA
4mA
集电极电流I
C
(A)
12
1.6
6mA
0.8
1.2
0.6
3mA
0.4
0.6
0.8
2mA
0.4
0.4
0.2
1mA
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
12
环境温度T
a
(C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
（MA ）
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10
3
1
0.3
0.1
Ta=75C
0.03
Ta=–25C
0.01
Ta=25C
V
BE （ SAT ）
I
C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
100
I
C
/I
B
=10
300
h
FE
I
C
V
CE
=10V
正向电流传输比H
FE
250
10
200
Ta=75C
Ta=25C
1
Ta=–25C
Ta=75C
Ta=25C
150
Ta=–25C
100
0.1
50
0.003
0.001
1
3
10
30
100
300
1000
0.01
1
10
100
1000
0
1
10
100
1000
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
I
E
200
30
C
ob
V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
集电极到发射极电压V
CER
(V)
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
100
V
CER
R
BE
I
C
=10mA
T
C
=25C
过渡频率f
T
（兆赫）
V
CB
=10V
180 F = 200MHz的
T
C
=25C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
–1
25
80
20
60
15
40
10
5
20
0
–2 –3 –5
–10
–20 –30 –50 –100
1
10
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
发射极电流I
E
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
基极 - 射极电阻R
BE
(k)
2
