功率晶体管
2SD2133
NPN硅外延平面型
单位：mm
对于低频功率放大驱动器
3.8
±0.2
7.5
±0.2
4.5
±0.2
补充2SB1413
I
特点
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
可以通过互补配对而获得的15 W输出
2SB1413
10.8
±0.2
0.65
±0.1
2.5
±0.1
0.85
±0.1
1.0
±0.1
0.8 C
90
0.8 C
16.0
±1.0
0.7
±0.1
0.7
±0.1
1.15
±0.2
1.15
±0.2
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
1.5
1
1.5
150
55
to
+150
单位
0.8 C
0.5
±0.1
1
2
3
2.05
±0.2
0.4
±0.1
V
V
V
A
A
W
°C
°C
2.5
±0.2
2.5
±0.2
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
MT- 3 （ MT3型包）
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1 *
h
FE2
h
FE3
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
注） *：等级分类
秩
h
FE1
Q
85至170
R
120至240
S
170至340
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 20 V，I
E
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 500毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 1 A
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CB
= 10 V，I
E
=
50
毫安， F = 200 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
60
50
5
85
50
35
0.2
0.85
200
11
0.4
1.2
V
V
兆赫
pF
100
340
民
典型值
最大
0.1
单位
A
V
V
V
1
