4V驱动N沟道MOSFET
RVQ040N05
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TSMT6
1.0MAX
0.85
0.7
特点
1）低导通电阻。
2 ）空间saving
小型表面贴装封装（ TSMT6 ） 。
1PIN MARK
2.9
1.9
0.95 0.95
(6)
(5)
(4)
1.6
2.8
0~0.1
(1)
(2)
(3)
0.4
0.16
应用
开关
包装规格
包
TYPE
RVQ040N05
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TR
3000
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： QG
内部电路
(6)
(5)
(4)
2
1
（ 1 ）排水
（ 2 ）排水
（ 3 ）门
（ 4 ）资料来源
（ 5 ）排水管
（ 6 ）排水
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷基板
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
45
21
±4.0
±16
1.6
16
1.25
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷基板
符号
RTH （ CH -A ）
范围
100
单位
° C / W
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c
○
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