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4V驱动N沟道MOSFET

RVQ040N05

结构

硅N沟道MOSFET

尺寸

（单位：毫米）

TSMT6

1.0MAX

0.85

0.7

特点

1）低导通电阻。

2 ）空间saving

小型表面贴装封装（ TSMT6 ）。

1PIN MARK

2.9

1.9

0.95 0.95

(6)

(5)

(4)

1.6

2.8

0~0.1

(1)

(2)

(3)

0.4

0.16

应用

开关

包装规格

包

TYPE

RVQ040N05

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

TR

3000

每根导线具有相同的尺寸

缩写符号： QG

内部电路

(6)

(5)

(4)

2

1

（ 1 ）排水

（ 2 ）排水

（ 3 ）门

（ 4 ）资料来源

（ 5 ）排水管

（ 6 ）排水

(1)

(2)

(3)

1

ESD保护二极管

2

体二极管

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

总功耗

通道温度

储存温度范围

1

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

2

安装在陶瓷基板

连续

脉冲

连续

脉冲

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DP

1

I

S

I

SP

1

P

D

2

总胆固醇

TSTG

范围

45

21

±4.0

±16

1.6

16

1.25

150

55

to

+150

单位

V

V

A

A

A

A

W

°C

°C

热阻

参数

渠道环境

安装在陶瓷基板

符号

RTH （ CH -A ）

范围

100

单位

° C / W

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c

○

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0.3~0.6

1/5

2009.02 - Rev.A的

RVQ040N05

电气特性

(Ta=25°C)

参数

符号

分钟。

45

1.0

3.0

典型值。

38

47

53

530

120

65

12

15

40

12

6.3

2.0

2.6

马克斯。

10

1

2.5

53

66

74

8.8

I

GSS

栅源漏

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

零栅极电压漏极电流

I

DSS

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

数据表

单位

A

V

A

V

m

m

m

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

条件

V

GS

=21V, V

DS

=0V

I

D

= 1mA时， V

GS

=0V

V

DS

= 45V, V

GS

=0V

V

DS

= 10V ，我

D

= 1毫安

I

D

= 4A ，V

GS

= 10V

I

D

= 4A ，V

GS

= 4.5V

I

D

= 4A ，V

GS

= 4.0V

V

DS

= 10V ，我

D

= 4A

V

DS

= 10V

V

GS

=0V

f=1MHz

V

DD

25V

I

D

= 2.0A

V

GS

= 10V

R

L

=12.5

R

G

=10

V

DD

25V ，我

D

= 4A

V

GS

= 5V

R

L

=6, R

G

=10

R

DS （ ON）

Y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

体二极管的特性

（源极 - 漏极）（ TA = 25 ° C）

参数

正向电压

*脉冲

符号

V

SD

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

V

条件

I

S

= 4.0A ，V

GS

=0V

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RVQ040N05

电气特性曲线

5

漏电流：我

D

[A]

4

3

V

GS

= 3.0V

2

V

GS

= 2.6V

1

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

V

GS

= 2.4V

Ta=25°C

脉冲

漏电流：我

D

[A]

5

4

3

2

1

0

0

2

4

6

8

10

V

GS

= 2.4V

V

GS

= 10V

V

GS

= 4.5

V

GS

= 4.0V

Ta=25°C

脉冲

V

GS

= 2.8V

漏电流：我

D

[A]

10

数据表

V

GS

= 10V

V

GS

= 4.5

V

GS

= 4.0V

V

DS

= 10V

脉冲

TA = 125℃

TA = 75℃

TA = 25℃

TA = - 25℃

1

V

GS

= 2.8V

V

GS

= 2.6V

0.1

0.01

0.001

0

1

2

3

漏源电压： V

DS

[V]

图1典型的输出特性（ Ⅰ ）

漏源电压： V

DS

[V]

图2典型的输出特性（ Ⅱ ）

栅源电压： V

GS

[V]

图3典型的传输特性

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS

（上） [毫欧]

100

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS

（上） [毫欧]

100

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS

（上） [毫欧]

TA = 25℃

脉冲

1000

V

GS

= 10V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

1000

V

GS

= 4.5V

脉冲

100

V

GS

= 4.0V

V

GS

= 4.5V

V

GS

= 10V

10

10

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

10

0.1

1

漏电流：I

D

[A]

图4静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

10

1

0.1

1

漏电流：I

D

[A]

图5静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

10

1

0.1

1

漏电流：I

D

[A]

图6静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

10

正向转移导纳： | YFS | [S ]

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS

（上） [毫欧]

1000

V

GS

= 4.0V

脉冲

100

100

反向漏电流：是[ A]

V

DS

= 10V

脉冲

10

10

V

GS

=0V

脉冲

1

10

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

1

TA = -25C

Ta=25°C

Ta=75°C

Ta=125°C

0.1

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

Ta=-25°C

1

0.1

1

漏电流：I

D

[A]

图7静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

10

0.1

0.1

1

漏电流：I

D

[A]

图8正向转移导纳

与漏电流

10

0.01

0

0.5

1

1.5

源极 - 漏极电压： V

SD

[V]

图9反向漏电流

与水稻源极 - 漏极电压

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2009.02 - Rev.A的

RVQ040N05

数据表

60

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS

（上） [毫欧]

切换时间： T [ NS ]

Ta=25°C

脉冲

50

I

D

= 2.0A

I

D

= 4.0A

40

10000

t

d

（关闭）

t

f

栅源电压： V

GS

[V]

Ta=25°C

V

DD

= 25V

V

GS

= 10V

R

G

=10

脉冲

10

8

6

4

2

0

0

2

4

6

8

10

12

Ta=25°C

V

DD

= 25V

I

D

= 4.0A

R

G

=10

脉冲

1000

100

t

d

（上）

10

t

r

30

0

5

10

15

20

1

0.01

0.1

1

10

栅源电压： V

GS

[V]

图10静态漏源导通状态

电阻与栅源电压

漏电流：I

D

[A]

图11开关特性

总栅极电荷：的Qg [ NC ]

图12动态输入特性

10000

电容： C [ pF的]

Ta=25°C

f=1MHz

V

GS

=0V

1000

100

在这一领域是有限的

由R

DS （ ON）

(V

GS

= 10V)

Pw=100us

漏电流：我

D

(A)

西塞

10

Pw=1ms

Pw=10ms

1

直流操作

100

CRSS

科斯

10

0.01

0.1

1

10

100

0.1

TA = 25°C

单脉冲

安装在SERAMIC板

0.01

0.1

1

10

100

漏源电压： V

DS

[V]

图13典型电容

与漏源电压

漏源电压： V

DS

[V]

图14最大安全运行的Aera

NORMARIZED瞬态热

·电阻

： R（T ）

10

1

0.1

0.01

0.001

TA = 25°C

单脉冲

第r （ CH-A ）（吨）= R（ t）的×的Rth （声道-a）的

第r （ CH-A ） = 100℃ / W的

<Mounted上的陶瓷board>

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

0.0001

0.0001

脉冲宽度： Pw的（ S）

图15归瞬态热电阻与脉冲宽度

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2009.02 - Rev.A的

RVQ040N05

测量电路

脉冲宽度

V

GS

I

D

R

L

D.U.T.

R

G

V

DD

V

DS

数据表

V

GS

V

DS

50%

10%

10%

90%

t

D（上）

t

on

t

r

90%

50%

10%

90%

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

图1-1开关时间测量电路

图1-2的开关波形

V

G

V

GS

I

D

R

L

I

G（常量）。

D.U.T.

R

G

V

DD

V

DS

Q

g

V

GS

Q

gs

Q

gd

收费

图2-1栅极电荷测量电路

图2-2栅极电荷波形

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SMDDIP

原装现货假一赔十★品惠特价热卖

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3000

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ROHM

2443+

23000

SOT-457T

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深圳市诺洋电子科技有限公司

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ROHM

24+

27200

SOT-163

全新原装现货，原厂代理。

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ROHM

21+22+

27000

SOT-163

原装正品

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ROHM

13+

98900

原装正品，支持实单

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ROHM/罗姆

24+

5000

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SOT-457T

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