IRF9Z22 ， SiHF9Z22
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
26
6.2
8.6
单身
S
特点
- 50
0.33
P沟道多功能
紧凑的塑料包装
快速开关
低驱动电流
易于并联的
出色的温度稳定性
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-220
G
描述
功率MOSFET技术的关键是Vishay的
先进的线路功率MOSFET晶体管。高效
几何形状的功率MOSFET和独特的加工
设计实现极低的通态电阻结合
高跨导和极端设备的耐用性。
P沟道功率MOSFET的被设计用于
应用需要相反极性的便利
操作。它们保留了所有的比较常见的特征
N沟道功率MOSFET的，如电压控制，很
快速切换，易于并联的，并具有优异的温度
稳定。
P沟道功率MOSFET适用于功率使用
阶段，其中互补对称具有N通道
设备提供电路简化。他们也很实用
在因为所提供的多功能电路驱动阶段
反极性连接。应用包括电动机
控制，音频放大器，开关模式转换器，控制
电路和脉冲放大器。
S
G
D
D
P沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF9Z22PbF
SiHF9Z22-E3
IRF9Z22
SiHF9Z22
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 KΩ)
连续漏电流
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
V
GDR
I
D
极限
- 50
± 20
- 50
- 8.9
- 5.6
- 36
0.32
- 36
- 2.2
40
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃，
A
A
W
°C
I
DM
脉冲漏
线性降额因子
感应电流，钳位
L = 100 μH
I
LM
非钳位电感电流（雪崩电流）
I
L
P
D
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 25 V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 100微亨，R
G
= 25
Ω
C.我
SD
≤
- 6.7 A， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 0.063" （ 1.6毫米）的情况下。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91350
S-挂起-REV 。 A， 10军08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
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