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IRF9Z22 ， SiHF9Z22
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
26
6.2
8.6
单身
S
特点
- 50
0.33
P沟道多功能
紧凑的塑料包装
快速开关
低驱动电流
易于并联的
出色的温度稳定性
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-220
G
描述
功率MOSFET技术的关键是Vishay的
先进的线路功率MOSFET晶体管。高效
几何形状的功率MOSFET和独特的加工
设计实现极低的通态电阻结合
高跨导和极端设备的耐用性。
P沟道功率MOSFET的被设计用于
应用需要相反极性的便利
操作。它们保留了所有的比较常见的特征
N沟道功率MOSFET的，如电压控制，很
快速切换，易于并联的，并具有优异的温度
稳定。
P沟道功率MOSFET适用于功率使用
阶段，其中互补对称具有N通道
设备提供电路简化。他们也很实用
在因为所提供的多功能电路驱动阶段
反极性连接。应用包括电动机
控制，音频放大器，开关模式转换器，控制
电路和脉冲放大器。
S
G
D
D
P沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF9Z22PbF
SiHF9Z22-E3
IRF9Z22
SiHF9Z22
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 KΩ)
连续漏电流
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
V
GDR
I
D
极限
- 50
± 20
- 50
- 8.9
- 5.6
- 36
0.32
- 36
- 2.2
40
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃，
A
A
W
°C
I
DM
脉冲漏
线性降额因子
感应电流，钳位
L = 100 μH
I
LM
非钳位电感电流（雪崩电流）
I
L
P
D
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 25 V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 100微亨，R
G
= 25
Ω
C.我
SD
≤
- 6.7 A， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 0.063" （ 1.6毫米）的情况下。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91350
S-挂起-REV 。 A， 10军08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
1
IRF9Z22 ， SiHF9Z22
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
1.0
-
马克斯。
80
-
3.1
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
=最大。评级，V
GS
= 0 V
V
DS
=最大。等级X 0,8 ，V
GS
= 0 V ，T
J
=125°C
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 5.6 A
b
V
DS
= 2× V
GS
, I
DS
= - 5.6 A
b
- 50
- 2.0
-
-
-
-
2.3
-
-
-
-
-
0.28
3.5
-
- 4.0
± 500
- 250
- 1000
0.33
-
V
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。 9
-
-
-
-
480
320
58
17
4.1
5.7
8.2
57
12
25
4.5
7.5
-
-
-
26
6.2
8.6
12
86
18
38
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 9.7 A，V
DS
= - 0.8
最大。投资评级。参见图。 17
-
-
V
DD
= - 25 V，I
D
= - 9.7 A,
R
G
= 18
Ω,
R
D
= 2.4
Ω,
参照图16
（ MOSFET开关时间
基本上是独立运行的
温度）
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
-
-
-
-
G
S
-
-
-
56
0.17
-
-
-
110
0.34
- 9.7
A
- 39
- 6.3
280
0.85
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 9.7 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 9.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91350
S-挂起-REV 。 A， 10军08
IRF9Z22 ， SiHF9Z22
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的饱和特性
图。 2 - 典型的传输特性
图。 4 - 最高安全工作区
文档编号： 91350
S-挂起-REV 。 A， 10军08
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3
IRF9Z22 ， SiHF9Z22
Vishay Siliconix公司
图。 5 - 典型的跨导主场迎战漏电流
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 击穿电压与温度的关系
图。 8 - 归通电阻与温度的关系
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4
文档编号： 91350
S-挂起-REV 。 A， 10军08
IRF9Z22 ， SiHF9Z22
Vishay Siliconix公司
图。 9 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 11 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 10 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 12 - 最大漏极电流与外壳温度
文档编号： 91350
S-挂起-REV 。 A， 10军08
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5
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