恩智浦半导体
BUK9Y58-75B
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.5
V
GS （ TH）
(V)
2
典型值
最大
003aad557
10
-1
I
D
(A)
10
-2
民
典型值
最大
003aad565
1.5
民
1
10
-3
10
-4
0.5
10
-5
0
-60
10
-6
0
60
120
T
j
(°C)
180
0
1
2
V
GS
(V)
3
图10.栅极 - 源极阈值电压的一个函数
结温
3
a
03nq03
图11，子阈值漏电流的函数
栅源电压
100
R
DSON
(mΩ)
003aac972
2
80
1
60
0
-60
40
-20
20
60
100
140
180
T
j
(°C)
0
4
8
12
V
GS
(V)
16
图12.归漏极 - 源极导通电阻
因子作为结温的函数
图13.漏源通态电阻为一个函数
的栅极 - 源极电压;典型值。
BUK9Y58-75B
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版本04 - 2010年4月7日
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