恩智浦半导体
BUK9Y58-75B
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
10
3
I
D
(A)
003aac622
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10μ s
10
100μ s
DC
1
1ms
10ms
100ms
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图4 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻
从结点到
安装底座
条件
SEE
图5
民
-
典型值
-
最大
2.53
单位
K / W
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
1
0.2
0.1
003aac483
10
-1
0.05
0.02
单发
P
δ
=
t
p
T
t
p
T
t
10
-2
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图5 。
从结瞬态热阻抗安装基座为脉冲持续时间的函数。
BUK9Y58-75B
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本04 - 2010年4月7日
5 14
