功率晶体管
2SD2544
硅NPN三重扩散平面型
单位：mm
4.2
±0.2
对于功放的高正向电流传输比
I
特点
高正向电流传输比H
FE
正向电流传输比H良好的线性
FE
让供应与径向编带
10.0
±0.2
1.0
±0.2
5.0
±0.1
13.0
±0.2
2.5
±0.1
1.2
±0.1
1.48
±0.2
90
C 1.0
2.25
±0.2
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电源
耗散
T
C
= 25°C
T
a
= 25°C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
等级
60
60
7
8
4
15
2
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
18.0
±0.5
浸焊
0.65
±0.1
0.65
±0.1
0.35
±0.1
1.05
±0.1
0.55
±0.1
2.5
±0.2
2.5
±0.2
1 2 3
0.55
±0.1
V
V
A
A
W
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
MT- 4 （ MT4型包）
结温
储存温度
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1 *
h
FE2
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
注） *：等级分类
秩
h
FE1
Q
P
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
EB
= 7 V，I
C
= 0
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
V
CE
= 2 V，I
C
= 0.8 A
V
CE
= 2 V，I
C
= 2 A
I
C
= 2 A，I
B
= 50毫安
I
C
= 2 A，I
B
= 50毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 0.5 A ， F = 10 MHz的
I
C
= 2 A，I
B1
= 50 mA时，我
B2
=
50
毫安，
V
CC
= 50 V
70
0.5
3.6
1.1
60
500
60
0.5
1.5
V
V
兆赫
s
s
s
1 000
2 000
民
典型值
最大
10
10
单位
A
A
V
500 1 200 800 2 000
1
