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功率晶体管
2SD2544
硅NPN三重扩散平面型
单位:mm
4.2
±0.2
对于功放的高正向电流传输比
I
特点
高正向电流传输比H
FE
正向电流传输比H良好的线性
FE
让供应与径向编带
10.0
±0.2
1.0
±0.2
5.0
±0.1
13.0
±0.2
2.5
±0.1
1.2
±0.1
1.48
±0.2
90
C 1.0
2.25
±0.2
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电源
耗散
T
C
= 25°C
T
a
= 25°C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
等级
60
60
7
8
4
15
2
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
18.0
±0.5
浸焊
0.65
±0.1
0.65
±0.1
0.35
±0.1
1.05
±0.1
0.55
±0.1
2.5
±0.2
2.5
±0.2
1 2 3
0.55
±0.1
V
V
A
A
W
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
MT- 4 ( MT4型包)
结温
储存温度
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1 *
h
FE2
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
注) *:等级分类
h
FE1
Q
P
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 60 V,I
E
= 0
V
EB
= 7 V,I
C
= 0
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.8 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 2 A
I
C
= 2 A,I
B
= 50毫安
I
C
= 2 A,I
B
= 50毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 0.5 A , F = 10 MHz的
I
C
= 2 A,I
B1
= 50 mA时,我
B2
=
50
毫安,
V
CC
= 50 V
70
0.5
3.6
1.1
60
500
60
0.5
1.5
V
V
兆赫
s
s
s
1 000
2 000
典型值
最大
10
10
单位
A
A
V
500 1 200 800 2 000
1
2SD2544
P
C
T
a
20
8
(1) T
C
= TA
(2)不带散热片
(P
C
=2.0W)
15
(1)
I
B
=100mA
7
50mA
T
C
=25C
功率晶体管
I
C
V
CE
10
V
BE ( SAT )
I
C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=20
集电极耗散功率P
C
(W)
3
集电极电流I
C
(A)
6
20mA
5
10mA
4
6mA
3
4mA
2
2mA
1
0
1
T
C
=–25C
100C
10
0.3
25C
0.1
5
0.03
(2)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
0.3
1
3
10
环境温度T
a
(C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE ( SAT )
I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
I
C
/I
B
=20
10
h
FE
I
C
1000
V
CE
=5V
f
T
I
C
V
CE
=10V
f=10MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
3
T
C
=100C
T
C
=100C
25C
–25C
过渡频率f
T
(兆赫)
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
300
1
100
0.3
30
0.1
25C
–25C
10
0.03
3
0.01
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.001
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
V
CB
1000
100
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
30
安全操作区( ASO )
非重复脉冲
T
C
=25C
集电极输出电容C
ob
(PF )
300
集电极电流I
C
(A)
10 I
CP
I
C
3
DC
1
10ms
0.3
0.1
0.03
t=1ms
100
30
10
3
1
1
3
10
30
100
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
R
日(T )
t
10000
注释:R
th
测量在Ta = 25℃,在自然对流。
( 1 )不带散热片
(2)在一个50
×
50
×
2毫米铝散热片
2SD2544
热阻R
th
(吨)( C / W)
1000
100
(1)
(2)
10
1
0.1
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
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ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
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特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
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通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
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妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
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即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
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及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
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从我们公司。
使用数据表之前,请仔细阅读下面的注意事项
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松下将不承担任何错误等,可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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