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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第431页 > 2N3019S
技术参数
低功率NPN硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百九十一分之一万九千五
器件
2N3019
2N3019S
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
2N3057A
2N3700
2N3700S
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
@ T
A
= +25
0
C
(1)
2N3019 ; 2N3019S
2N3057A
2N3700
2N3700UB
0 (2)
@ T
C
= +25 C
2N3019 ; 2N3019S
2N3057A
2N3700
2N3700UB
操作&公司JCT存储温度范围
1)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
80
140
7.0
1.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
TO- 39 * （ TO- 205AD ）
2N3019 ， 2N3019S
P
T
0.8
0.4
0.5
0.4
W
5.0
1.8
1.8
1.16
-55到+175
TO- 18 * （ TO- 206AA ）
2N3700
T
J
,
T
英镑
0
C
TO- 46 * （ TO- 206AB ）
2N3057A
2)
线性降额4.6毫瓦/
0
下型2N3019和2N3019S ; 2.3毫瓦/
0
下式2N3057A ;
2.85毫瓦/
0
下型2N3700 ; 6.6毫瓦/
0
下式2N3700UB对于T
A
≥
+25
0
C.
线性降额28.6毫瓦/
0
下型2N3019和2N3019S ;
10.3毫瓦/
0
下类型2N3057A ， 2N3700 ， & 2N3700UB对于T
C
≥
+25
0
C.
3针
表面贴装
*
2N3700UB
*请参阅附录A包
概要
电气特性（T
A
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
V
（ BR ）
CBO
V
（ BR ）
EBO
V
（ BR ）
首席执行官
分钟。
140
7.0
80
马克斯。
单位
VDC
VDC
VDC
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
μAdc
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100
μAdc
集电极 - 发射极击穿电流
I
C
= 30 MADC
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N3019 ， 2N3019S ， 2N3057A ， 2N3700 ， 2N3700UB JAN系列
电气特性（续）
特征
符号
I
CES
I
EBO
分钟。
马克斯。
10
10
单位
μAdc
μAdc
开关特性（续）
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 90伏直流
发射基截止电流
V
EB
= 5.0伏
基本特征（ 1 ）
正向电流传输比
I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC
基射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
100
50
90
50
15
300
200
200
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
0.2
0.5
1.1
VDC
VDC
动态特性
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 1.0千赫
小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
80
400
h
fe
C
敖包
C
IBO
5.0
20
12
60
p
pF
安全工作区
DC测试
T
C
= 25
0
C， 1个周期，T = 10毫秒
测试1
2N3019 ， 2N3019S
2N3057A ， 2N3700 ， 2N3700UB
测试2
2N3019 ， 2N3019S
2N3057A ， 2N3700 ， 2N3700UB
V
CE
=
10 VDC
I
C
= 500 MADC
I
C
= 180 MADC
V
CE
=
40 VDC
I
C
= 125 MADC
I
C
= 45 MADC
测试3
V
CE
=
80伏直流
2N3019 ， 2N3019S
I
C
= 60 MADC
2N3057A ， 2N3700 ， 2N3700UB
I
C
= 22.5 MADC
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
2N3019S
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N3019SJ ）
JANTX级别（ 2N3019SJX ）
JANTXV级（ 2N3019SJV ）
JANS级（ 2N3019SJS ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072年的JANTXV和JANS
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用
低功耗
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 39金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸4500
参考文献：
MIL-PRF-19500/391
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
资质等级： JAN ， JANTX ，
JANTXV和JANS
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25
O
C
线性降额超过60
O
C
功耗，T
C
= 25
O
C
线性降额超过25
O
C
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
等级
80
140
7
1
0.8
5.7
5.0
28.6
175
-65到+200
单位
伏
伏
伏
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
牧师F
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第1页2
www.SEMICOA.com
2N3019S
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
h
FE6
V
BESAT
V
CEsat1
V
CEsat2
测试条件
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10伏
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 1 A，V
CE
= 10伏
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10伏
T
A
= -55°C
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO1
I
CES1
I
CES2
I
EBO1
I
EBO2
测试条件
I
C
= 30毫安
V
CB
140伏
V
CE
= 90伏
V
CE
= 90伏，T
A
= 150°C
V
EB
= 7伏
V
EB
= 5伏
民
80
10
10
10
10
10
典型值
最大
单位
伏
A
nA
A
A
nA
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
100
50
90
50
15
40
典型值
最大
300
200
200
单位
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
小信号特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
小信号短路正向
电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
开关特性
饱和导通时间
1.1
0.2
0.5
伏
伏
符号
|h
FE
|
h
FE
C
敖包
C
IBO
r
b
’C
C
NF
测试条件
V
CE
= 10伏，我
C
= 50毫安，
F = 20MHz的
V
CE
= 5伏，我
C
= 1毫安，
F = 1千赫
V
CB
= 10伏，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
EB
= 0.5伏特，我
C
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
CB
= 10伏，我
E
= 10毫安，
F = 79.8兆赫
V
CE
= 10伏，我
C
= 100
A,
F = 200赫兹，R
g
= 1 k
民
5
80
典型值
最大
20
400
12
60
400
4
单位
pF
pF
ps
dB
t
ON
+t
关闭
30
ns
Copyright 2002年
牧师F
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第2页2
www.SEMICOA.com
2N3019S
低功率晶体管
NPN硅
特点
MIL -PRF-三百九十一分之一万九千五合格
作为JAN ， JANTX ，并JANTXV
密封的商业产品与期权军事
温度范围筛选
http://onsemi.com
集热器
3
2
BASE
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
连续
器件总功耗@ T
A
= 25°C
器件总功耗@ T
C
= 25°C
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
T
J
, T
英镑
价值
80
140
7.0
1.0
800
5.0
65
to
+200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
mW
W
°C
TO39
CASE 205AB
风格1
1
辐射源
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
195
30
单位
° C / W
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
JAN2N3019S
JANTX2N3019S
JANTXV2N3019S
TO39
体积
包
航运
半导体元件工业有限责任公司， 2011
， 2011年7月
第0版
1
出版订单号：
2N3019S/D
2N3019S
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）（注1 ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）（注1 ）
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）（注1 ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）（注1 ）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC ）（注1 ）
集热器
：辐射源
饱和电压（注1 ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
BASE
：辐射源
饱和电压（注1 ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
小信号特性
输出电容（V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫）
小信号电流增益
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20兆赫）
1.脉冲测试：见MIL -STD- 750的第4节。
C
敖包
|h
fe
|
5.0
12
20
pF
h
FE
50
90
100
50
15
300
300
300
0.2
0.5
1.1
符号
民
最大
单位
V
CE （ SAT ）
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
http://onsemi.com
2
2N3019S
包装尺寸
TO- 39 3引脚
CASE 205AB -01
发行
B
细节X
A
B
P
L
C
A
K
E
注7：
座位
飞机
U
U
R
注5
F
注意事项：
1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸实测直径从A TO EDGE 。
4.铅TRUE位置的确定AT THE GUAGE
平面定义的维R.
5.尺寸f适用DIMENSION P和L之间
6.尺寸D之间的适用尺寸L和K.
7. BODY CONTOUR OPTIONAL WITHIN ZONE DEFINED BY DIMEN
SIONS A， B和T.
8.尺寸B变化应不超过0.010 IN ZONE P.
暗淡
A
B
C
D
E
F
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
MILLIMETERS
民
最大
8.89
9.40
8.00
8.51
6.10
6.60
0.41
0.48
0.23
3.18
0.41
0.48
0.71
0.86
0.73
1.02
12.70
14.73
6.35
---
45
_
BSC
5.08 BSC
---
1.27
1.37 BSC
---
0.76
2.54
---
英寸
民
最大
0.350
0.370
0.315
0.335
0.240
0.260
0.016
0.019
0.009
0.125
0.016
0.019
0.028
0.034
0.029
0.040
0.500
0.580
0.250
---
45
_
BSC
0.200 BSC
---
0.050
0.054 BSC
---
0.030
0.100
---
T
D
注4 & 6
0.007 （ 0.18 ） A B
S
C
3X
细节X
M
H
M
C
J
N
2
1
3
铅鉴定
详细信息
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
3
2N3019S/D
技术参数
低功率NPN硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百九十一分之一万九千五
器件
2N3019
2N3019S
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
2N3057A
2N3700
2N3700S
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
@ T
A
= +25
0
C
(1)
2N3019 ; 2N3019S
2N3057A
2N3700
2N3700UB
0 (2)
@ T
C
= +25 C
2N3019 ; 2N3019S
2N3057A
2N3700
2N3700UB
操作&公司JCT存储温度范围
1)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
80
140
7.0
1.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
TO- 39 * （ TO- 205AD ）
2N3019 ， 2N3019S
P
T
0.8
0.4
0.5
0.4
W
5.0
1.8
1.8
1.16
-55到+175
TO- 18 * （ TO- 206AA ）
2N3700
T
J
,
T
英镑
0
C
TO- 46 * （ TO- 206AB ）
2N3057A
2)
线性降额4.6毫瓦/
0
下型2N3019和2N3019S ; 2.3毫瓦/
0
下式2N3057A ;
2.85毫瓦/
0
下型2N3700 ; 6.6毫瓦/
0
下式2N3700UB对于T
A
≥
+25
0
C.
线性降额28.6毫瓦/
0
下型2N3019和2N3019S ;
10.3毫瓦/
0
下类型2N3057A ， 2N3700 ， & 2N3700UB对于T
C
≥
+25
0
C.
3针
表面贴装
*
2N3700UB
*请参阅附录A包
概要
电气特性（T
A
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
V
（ BR ）
CBO
V
（ BR ）
EBO
V
（ BR ）
首席执行官
分钟。
140
7.0
80
马克斯。
单位
VDC
VDC
VDC
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
μAdc
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100
μAdc
集电极 - 发射极击穿电流
I
C
= 30 MADC
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N3019 ， 2N3019S ， 2N3057A ， 2N3700 ， 2N3700UB JAN系列
电气特性（续）
特征
符号
I
CES
I
EBO
分钟。
马克斯。
10
10
单位
μAdc
μAdc
开关特性（续）
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 90伏直流
发射基截止电流
V
EB
= 5.0伏
基本特征（ 1 ）
正向电流传输比
I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC
基射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
100
50
90
50
15
300
200
200
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
0.2
0.5
1.1
VDC
VDC
动态特性
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 1.0千赫
小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
80
400
h
fe
C
敖包
C
IBO
5.0
20
12
60
p
pF
安全工作区
DC测试
T
C
= 25
0
C， 1个周期，T = 10毫秒
测试1
2N3019 ， 2N3019S
2N3057A ， 2N3700 ， 2N3700UB
测试2
2N3019 ， 2N3019S
2N3057A ， 2N3700 ， 2N3700UB
V
CE
=
10 VDC
I
C
= 500 MADC
I
C
= 180 MADC
V
CE
=
40 VDC
I
C
= 125 MADC
I
C
= 45 MADC
测试3
V
CE
=
80伏直流
2N3019 ， 2N3019S
I
C
= 60 MADC
2N3057A ， 2N3700 ， 2N3700UB
I
C
= 22.5 MADC
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
数据表号2C3019
芯片型号2C3019
几何4500
极性PNP
通用封装器件：
2N3019, 2N3057
芯片型号
2C3019
通过Semicoa半自动
导体提供了性能
类似于这些设备。
型号：
2N3019 ， 2N3019S ，
2N3019UB ， 2N3057 ，
2N3057A,
2N3700 ， 2N3700UB ，
SD3019F ， SQ3019 ， SQ3019F
产品简介：
应用范围：
适用于一般
目的开关和放大器应用
系统蒸发散。
产品特点：
有效辐射图
机械的特定网络阳离子
金属化
焊盘尺寸
模具厚度
芯片面积
顶面
顶部
背面
辐射源
BASE
艾尔 - 嘉12分钟。
金 - 6.5 KA NOM 。
2.3密耳X 7.0密耳
5.0密耳X 11.0密耳
8密耳的名义
30密耳×30密耳
SILOX钝化
电气特性
T
A
= 25 C
参数
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
o
测试条件
I
C
= 100 A ，我
E
= 0
I
E
= 100 A ，我
C
= 0
V
CB
= 40 V，I
E
= 0
民
140
7.0
---
最大
---
---
10
单位
V DC
V DC
nA
h
FE
I
C
= 150 mA dc直流电，V
CE
= 10 V
100
300
---
由于探针测试的限制，只有直流参数进行测试。这是一定要做脉冲宽度小于
超过300微秒，比2 ％的占空比少。
数据表号2N3019S
类型2N3019S
几何
4500
极性NPN
QUAL等级： JAN - JANS
产品特点：
通用晶体管
开关和放大器应用
吨。
装在一个
TO-39
情况。
还采用芯片形式提供
该
4500
芯片的几何形状。
显示的最小和最大限值
每
MIL-PRF-19500/391
哪
Semicoa满足于所有情况。
辐射图提供。
通用型号：
2N3019
REF ： MIL -PRF- 391分之19500
TO-39
最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
T
英镑
等级
80
140
7.0
1.0
-55到+175
-55到+175
单位
V
V
V
mA
o
C
C
o
数据表号2N3019S
电气特性
T
C
= 25℃ ，除非另有规定
o
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30毫安
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100 A
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 90 V
发射基截止电流
V
EB
= 5 V
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
EBO
民
140
80
7.0
---
---
最大
---
---
---
10
10
单位
V
V
V
nA
nA
基本特征
直流电流增益
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V （脉冲测试）
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V （脉冲测试）
I
C
= 1 A，V
CE
= 10 V （脉冲测试）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 150毫安，我
B
= 15 MA（脉冲测试）
I
C
= 500毫安，我
B
= 50 MA（脉冲测试）
基射极饱和电压
I
C
= 150毫安，我
B
= 15 MA（脉冲测试）
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE （ SAT ）
民
100
50
90
50
15
---
---
---
最大
300
200
---
200
---
0.2
0.5
1.1
单位
---
---
---
---
---
V DC
V DC
V DC
小信号特性
短路正向电流传输比
I
C
= 1毫安， V
CE
= 5 V ， F = 1千赫
共发射极短路的幅度
正向电流传输比
V
CE
= 10 V，I
C
= 50 mA时， F = 200 MHz的
开路输出电容
V
CB
= 10 V，I
E
= 0 ， 100千赫< F < 1兆赫
输入电容，输出开路
V
EB
= 2.0 V，I
C
= 0 ， 100千赫< F < 1兆赫
Collecor -基本时间常数
V
CE
= 10 V，I
C
= 10 mA时， F = 79.8兆赫
噪声系数
V
CE
= 10 V，I
C
= 100 A ，R
g
1千欧
符号
AC
FE
|h
FE
|
C
敖包
C
IBO
r
b'
C
C
NF
民
80
5.0
---
---
---
---
最大
400
20
12
60
400
4
单位
---
---
pF
pF
ps
dB
开关特性
脉冲响应
15纳秒， 50欧姆输入脉冲
符号
t
ON +
t
关闭
民
---
最大
30
单位
ns
查看更多2N3019SPDF信息
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2SC2336B
2-487769-3
2SJ454
2SD1668S
2.0HSA
2N1166
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23L3216-10
2238581598
296HB252B2B
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2N4928DCSM
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