SGM161
5.3A,
20V,R
DS （ ON）
50m
Ω
公司Bauelemente
N沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
SOT-89
描述
该SGM161采用先进的加工技术
以实现尽可能低的导通电阻，极
效率和成本效益的设备。
特点
*
低导通电阻
*
能够2.5V栅极驱动
*
可靠，坚固耐用
REF 。
A
B
C
D
E
F
应用
*笔记本电脑
*锂离子电池系统
*板载电源
*携带电话
G
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 ° TYP 。
0.70 REF 。
D
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@4.5V
连续漏电流， V
GS
@4.5V
漏电流脉冲
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
3
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
C
I
D
@T
A
=70
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
C
o
o
o
评级
20
±
12
5.3
4.3
10
2
0.01
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
马克斯。
Rthj -A
评级
90
单位
o
C / W
http://www.SeCoSGmbH.com/
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
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