SGM161
5.3A,
20V,R
DS （ ON）
50m
Ω
公司Bauelemente
N沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
SOT-89
描述
该SGM161采用先进的加工技术
以实现尽可能低的导通电阻，极
效率和成本效益的设备。
特点
*
低导通电阻
*
能够2.5V栅极驱动
*
可靠，坚固耐用
REF 。
A
B
C
D
E
F
应用
*笔记本电脑
*锂离子电池系统
*板载电源
*携带电话
G
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 ° TYP 。
0.70 REF 。
D
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@4.5V
连续漏电流， V
GS
@4.5V
漏电流脉冲
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
3
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
C
I
D
@T
A
=70
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
C
o
o
o
评级
20
±
12
5.3
4.3
10
2
0.01
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
马克斯。
Rthj -A
评级
90
单位
o
C / W
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SGM161
公司Bauelemente
5.3A,
20V,R
DS （ ON）
50m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
o
C
)
o
o
除非另有规定编）
符号
BV
DSS
分钟。
20
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250uA
V
GS
=
±12V
V
DS
=20V,V
GS
=0
V
DS
=16V,V
GS
=0
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
o
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
0.1
_
_
_
_
_
_
_
0.5
_
_
_
_
1.2
±
100
1
10
50
70
250
_
_
_
_
静态漏源导通电阻
2
R
DS （ ON）
_
_
m
Ω
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2A
V
GS
= 1.5V ，我
D
=0.5A
I
D
=5.3A
V
DS
=10V
V
GS
=4.5V
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
8.7
1.5
3.6
6
14
18.4
2.8
603
144
111
13
nC
_
_
_
_
_
_
_
V
DD
=15V
I
D
=1A
nS
V
GS
=10V
R
G
=2
Ω
R
D
=15
Ω
_
_
_
_
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=15V
f=1.0MHz
V
DS
= 5V ，我
D
=5.3A
_
_
S
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
DS
TRR
QRR
分钟。
_
_
_
典型值。
_
马克斯。
1.2
_
_
单位
V
nS
nC
测试条件
I
S
= 1.2A ，V
GS
=0V.
I
S
=5A,V
GS
=0
dl/dt=100A/us
反向恢复时间
反向恢复电荷
16.8
11
注： 1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
3.表面安装在1英寸
2
FR4电路板的铜垫; 270
° C / W
安装在最小的时候。铜垫。
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