BD3539FVM,BD3539NUX
技术说明
（HEAT
损失
热设计，必须使用下面列出的条件下进行操作（这是保证进行
温度范围需要考虑适当的利润等） ;
1 ：环境温度Ta ： 100 ℃或更低
2 ：芯片结温Tj ： 150 ℃或更低
芯片结温Tj可以考虑如下：
·计算
根据集成电路表面
温度Tc ，安装在电路板上
TJ = TC + θJ -C ×宽
<Reference example>
θJ -C ： MSOP - 8
46.0℃/W
·计算
根据环境温度Ta
TJ = TA + θJ -A ×宽
参考
举例】
θJ -A ： MSOP- 8
212.8 ℃ / W由于没有散热片
322.6 ℃ / W 1层电路板（铜箔面积： 70 × 70毫米
2
)
θJ -A ： VSON008X2030
516.5 ℃ / W由于没有散热片
242.7 ℃ / W 1层电路板（铜箔面积： 70 × 70毫米
2
)
PCB尺寸： 70 × 70 × 1.6毫米
142.5 ℃ / W 4层电路板（铜箔面积： 70 × 70毫米
2
)
（板上铜箔面积： 70 × 70毫米
2
)
3
PCB尺寸： 70 × 70 × 1.6毫米（带散热孔）
由于包带FIN是用在IC底部，封装的功率由铜箔区，这是相当大的变化
连接。通过采取足够的面积为基板表面，或使用许多通孔，内层图案请散热。
大多数在BD3539FVM / NUX热损失发生在输出N沟道场效应晶体管。失去了功率乘以所确定的
VIN和武之间的电压由输出电流。由于该IC采用电源PKG ，热降额特性
显著依赖于印刷电路板的条件。在设计时，必须小心，以印刷电路板的尺寸使用。
消耗功率（ W） =输入电压（V
TT_IN
） - 输出电压（V
TT
≒
例），其中V
TT_IN
= 1.5V ， VDDQ = 1.5V ， IO（ AVE） = 0.5A
消耗功率（W ） =
（HEAT
耗散特性[ TC]
◎MSOP8
[W]
3.0
2.72W
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1层电路板
θja=46.0℃/W
1
2
VDDQ ） × IO（大道）
1.5(V)-0.75(V)
×0.5(A)
= 0.375(W)
0
25
50
75
100
125
150
[℃]
环境温度[钽]
（HEAT
耗散特性[钽]
◎MSOP8
[毫瓦]
600
500
功耗[钯]
400 （2） 387.4mW
300
200
100
0
（1） 587.4mW
（ 1）01层电路板
θja=212.8℃/W
（2）由于没有散热片
θja=322.6℃/W
◎VSON008X2030
[W]
1.0
（1） 877.2mW
（ 1 ） 4层电路板（铜箔面积： 5505毫米
2
）
每一层都有铜箔面积， θJA = 142.5 ℃ / W
（2）1层基板
θja=242.7℃/W
（3）由于没有散热片
θja=516.5℃/W
功耗[钯]
0.75
（2） 515.0mW
0.5
0.25
（3） 242.0mW
0
0
25
50
75
100
125
环境温度[钽]
150
[℃]
0
25
50
75
100
125
150
[℃]
环境温度[钽]
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