高科技性能的稳压器IC系列的PC

终端稳压器

为DDR- SDRAM的

BD3539FVM,BD3539NUX

No.09030EAT24

°说明

BD3539FVM / NUX是一个终端稳压器与JEDEC DDR1 -SDRAM ， DDR2 -SDRAM ， DDR3 -SDRAM兼容哪些

作为结合有N沟道MOSFET的线性电源，并提供一个汇/源电流能力达

1A分别。内置的高速运算放大器专门设计提供出色的瞬态响应。 3.3要求

伏（ DDR2，DDR3 ）或5.0伏（ DDR1 ， DDR2，DDR3 ）作为偏置电源来驱动的N沟道MOSFET 。有

独立的参考电压输入（ VDDQ ）和一个独立的反馈引脚（ VTTS ）保持精度的

要求JEDEC电压，并提供出色的输出电压精度和负载调节。也有一个参考

电源输出引脚（ VREF）用于DDR -SDRAM或存储器控制器。当EN引脚变为“低” ， VTT输出

成为“高阻”，而VREF输出保持不变，与“自我刷新” DDR -SDRAM的状态不兼容。

■特点

1 ）包括用于终止一个推挽电源（ VTT）

2）集成了1个参考电压电路（ VREF）。

3 ）整合的推动者

4 ）集成了欠压锁定（ UVLO ）

5 ）雇用MSOP8封装： 2.9 × 4.0 × 0.9 （毫米） ： BD3539FVM

6 ）雇用VSON008X2030包： 2.0 × 3.0 × 0.6 （毫米） ： BD3539NUX

7 ）采用热关断保护（ TSD ）

8 ）采用2.7伏至5.5伏的输入电压

9 ）兼容双通道（ DDR1 ， DDR2 ， DDR3 ）

10 ）可使用陶瓷电容，在输出

“使用

电源为DDR1- SDRAM （ VCC = 5V只）

电源的DDR2 -SDRAM （ VCC = 3.3V或5V ）

电源的DDR3 -SDRAM （ VCC = 3.3V或5V ）

“绝对

最大额定值

参数

输入电压

使能输入电压

端接输入电压

VDDQ电压参考

输出电流

电源dissipation1

电源dissipation2

电源Dissipation3

工作温度范围

存储温度范围

最高结温

符号

VCC

VEN

VTT_IN

VDDQ

ITT

Pd1

Pd2

Pd3

TOPR

TSTG

TJMAX

极限

BD3539FVM

7

*1*2

7

*1*2

7

*1*2

7

*1*2

1

387.4

*3

587.4

*4

-

-30½+100

-55½+150

+150

242.0

*4

515.0

*5

877.2

*6

BD3539NUX

单位

V

V

V

V

A

mW

mW

mW

℃

℃

℃

* 1不应超过钯。

* 2瞬时浪涌电压，下小于10 ％的占空比备份电动势和电压。

* 3由于钽≧ 25 ℃ （无散热片）

θja=322.6℃/W

* 4由于钽≧ 25 ℃安装一个70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米环氧玻璃基板时，无热sinkθja = 212.8 ℃ / W

* 5有了钽≧ 25 ℃ （无散热片）

θja=516.5℃/W

* 6用钽≧ 25 ℃安装一个70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米环氧玻璃基板1层电路板时，

θja=242.7℃/W

* 7的Ta ≧ 25 ℃安装一个70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米环氧玻璃基板的4层电路板时，

（铜箔密度： 5505毫米

2

（铜箔区中的每个层） ） ，

θja=142.5℃/W

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