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HB54A5129F1-B75B/10B
第一个字节
30
函数来描述
最低活跃预充电时间
（ TRAS ）
-B75B
-10B
31
32
模块级密度
地址和命令设置时间
时钟前（ TIS ）
-B75B
-10B
33
Bit7
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0
1
1
1
Bit6
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0
0
0
0
0
0
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1
1
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1
1
1
1
位5位4
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1
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1
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1
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0
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0
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1
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0
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1
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位1位0
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0
0
1
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1
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十六进制值
2D
32
80
90
B0
90
B0
50
60
50
60
00
41
46
4B
50
评论
45ns
50ns
1级
512MB
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5
1.1ns*
5
0.9ns*
5
1.1ns*
5
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5
0.6ns*
5
0.5ns*
5
0.6ns*
5
未来使用
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5
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5
75ns*
5
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5
600ps*
5
750ps*
5
1000ps*
5
未来使用
初始
51
248
HITACHI
*
2
(ASCII-8bit
代码）
B
5
4
地址和命令后保持时间
时钟（ TIH ）
1
-B75B
-10B
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
之前的数据输入建立时间时钟
（ TDS ）
-B75B
-10B
钟后，数据输入保持时间（ TDH ）
-B75B
-10B
超信息
EO
34
35
36至40
41
-10B
42
-10B
43
44
-10B
45
-10B
46 61
62
63
SPD修订
-10B
64
65至71
72
73
74
75
76
77
78
79
主动命令期间（ TRC）
-B75B
自动刷新主动/
自动刷新命令周期（ tRFC ）
-B75B
SDRAM TCK周期最大。 （TCK最大）
DOUT到DQS歪斜
-B75B
数据保持歪斜（ TQHS ）
-B75B
超信息
校验和字节0到62
-B75B
制造商的JEDEC的ID代码
制造商的JEDEC的ID代码
生产地点
模块部件号
模块部件号
模块部件号
模块部件号
模块部件号
模块部件号
模块部件号
数据表E0090H60 （6.0版）
L
od
Pr
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0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
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1
1
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0
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1
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32
3C
75
A0
00
00
33
F8
07
t
uc
00
××
48
H
42
35
34
41
35
31
A
5
1
6
