位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第753页 > HB54A5129F1-10B > HB54A5129F1-10B PDF资料 > HB54A5129F1-10B PDF资料1第13页
HB54A5129F1-B75B/10B
引脚电容（ TA = 25℃ ， VCC ， VCCQ = 2.5V ± 0.2V ）
参数
输入电容
输入电容
数据和DQS的输入/输出
电容
符号
CI1
CI2
CO
引脚
地址， / RAS ， / CAS ， / WE ，
/ S， CKE
CK ， / CK
DQ ， DQS ， CB
马克斯。
10
20
15
单位
pF
pF
pF
笔记
1, 3
1, 3
1, 2, 3
注：1.这些参数的条件下测得： F = 100MHz时， VOUT = VCCQ / 2 ，
ΔVOUT
= 0.2V.
2. Dout的电路都被禁止。
3.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
时序参数测量时钟周期为注册DIMM
时钟周期的数目
符号
tWPD
tRPD
tWRD
tBSTW
tBSTW
tBSTZ
tBSTZ
tRWD
tRWD
tHZP
tHZP
分钟。
3 + BL / 2
BL/2
2 + BL / 2
2
3
3
3.5
2 + BL / 2
3 + BL / 2
3
马克斯。
单元。
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
EO
参数
（ CL = 3.5 ）
（ CL = 3.5 ）
（ CL = 3.5 ）
（ CL = 3.5 ）
写恢复
断电进入
CKE最小脉冲宽度
写入预充电命令延迟（同一银行）
读取到预充电命令延迟（同一银行）
写读命令延迟（输入所有数据）
突发停止命令写入命令的延迟
（CL = 3）的
突发stop命令DQ高阻
（CL = 3）的
读命令写入命令的延迟（输出所有数据）
（CL = 3）的
预充电命令高阻
（CL = 3）的
写命令的延迟数据
注册set命令激活或注册set命令
自刷新退出到非读取命令
自刷新退出读取命令
断电退出命令输入
数据表E0090H60 （6.0版）
L
od
Pr
3.5
tWCD
tWR的
2
1
超过tMRD
2
TSNR
10
tSRD
200
TPDEN
1
tPDEX
1
tCKEPW
1
t
uc
13
