RJK6029DJA
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
民
600
—
—
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
13.5
66
8.7
1.3
30
15
51
175
4.8
0.6
3.2
0.77
220
最大
—
1
±0.1
5
16.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.30
—
单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0
V
GS
=
30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 0.1 A，V
GS
= 10 V
Note2
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 0.1 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 3000
RG = 10
V
DD
= 480 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.2 A
I
F
= 0.2 A，V
GS
= 0
Note2
I
F
= 0.2 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注： 2.脉冲测试
3.由于本装置装备有高电压场效应晶体管芯片（Ⅴ
DSS
600伏），高电压可以被提供。
因此，请务必确认约漏极终端和其他终端之间的放电。
4.本设备对静电放电很敏感。
建议处理该产品时采取适当的注意事项。
REJ03G1895-0100 Rev.1.00
2010年6月18日
第2 6
