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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第99页 > RJK6029DJA
初步
数据表
RJK6029DJA
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 13.5
（典型值） 。 （在我
D
= 0.1 A，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
低驱动电流
高密度安装
REJ03G1895-0100
Rev.1.00
2010年6月18日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003DA -A
（包名称： TO- 92 （ 1 ） ）
D
G
1.源
2.漏
3.门
32
1
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
散热通道
通道到环境热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
PCH
CH -A
总胆固醇
TSTG
评级
600
±30
0.2
0.8
0.2
0.8
0.75
166.7
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
° C / W
C
C
REJ03G1895-0100 Rev.1.00
2010年6月18日
第1页6
RJK6029DJA
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
民
600
—
—
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
13.5
66
8.7
1.3
30
15
51
175
4.8
0.6
3.2
0.77
220
最大
—
1
±0.1
5
16.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.30
—
单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0
V
GS
=
30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 0.1 A，V
GS
= 10 V
Note2
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 0.1 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 3000
RG = 10
V
DD
= 480 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.2 A
I
F
= 0.2 A，V
GS
= 0
Note2
I
F
= 0.2 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注： 2.脉冲测试
3.由于本装置装备有高电压场效应晶体管芯片（Ⅴ
DSS
600伏），高电压可以被提供。
因此，请务必确认约漏极终端和其他终端之间的放电。
4.本设备对静电放电很敏感。
建议处理该产品时采取适当的注意事项。
REJ03G1895-0100 Rev.1.00
2010年6月18日
第2 6
RJK6029DJA
初步
主要特点
最高安全工作区
10
TA = 25°C
1次射门
0.8
典型的输出特性
TA = 25°C
脉冲测试
4.6 V
4.4 V
4.2 V
4V
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
1
10
PW
=
0.6
5V
10 V
μ
s
0.1
0.4
10
0
μ
s
3.8 V
3.6V
0.01
操作在此
区域由限定
R
DS （ ON）
1
10
100
1000
0.2
V
GS
= 3.4 V
0
0.001
0.1
0
4
8
12
16
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流（典型值）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
100
V
GS
= 10 V
TA = 25°C
脉冲测试
典型的传输特性
1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
0.1
TC = 75℃
25°C
25°C
10
0.01
0.001
2
3
4
5
6
1
0.01
0.1
1
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
- 温度曲线（典型）
V
GS
= 10 V
脉冲测试
30
I
D
= 0.4 A
漏电流I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
体漏二极管的反向
恢复时间（典型）
反向恢复时间trr （ NS ）
1000
40
20
0.2 A
10
0.1 A
100
的di / dt = 50A /
μs
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
0.1
0.3
1
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
壳温度（ ° C）
反向漏电流I
DR
(A)
REJ03G1895-0100 Rev.1.00
2010年6月18日
第3页6
RJK6029DJA
典型的电容比。
漏源极电压
漏极至源极电压V
DS
(V)
1000
TA = 25°C
初步
动态输入特性（典型）
I
D
= 0.2 A
TA = 25
°C
V
GS
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
100
西塞
600
V
DS
400
12
10
科斯
1
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
100
200
300
CRSS
8
200
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
0
2
4
6
8
4
0.1
0
0
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极电荷Qg （ NC ）
0.8
门源截止电压V
GS （ OFF ）
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
反向漏电流I
DR
(A)
V
GS
= 0
TA = 25
°C
脉冲测试
门源截止电压
与外壳温度（典型）
5
V
DS
= 10 V
0.6
4
I
D
= 10毫安
1毫安
0.1毫安
2
1
3
0.4
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
外壳温度
TC （ ℃）
REJ03G1895-0100 Rev.1.00
2010年6月18日
第4 6
栅极至源极电压V
GS
(V)
800
16
电容C （PF ）
RJK6029DJA
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
初步
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- 一（吨） =
γs
(t)
θch
– a
θch
- 一= 166.7 ° C / W ，TA = 25℃
P
DM
PW
T
0.02
0.03
0.01
ULSE
tp
笑
1
0.01
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
D=
PW
T
1
10
100
1000
脉冲宽度
PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10 V
V
DD
= 300 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （关闭）
tf
90%
TD （上）
tr
REJ03G1895-0100 Rev.1.00
2010年6月18日
分页： 5 6
初步
数据表
RJK6029DJA
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 13.5
（典型值） 。 （在我
D
= 0.1 A，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
低驱动电流
高密度安装
REJ03G1895-0100
Rev.1.00
2010年6月18日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003DA -A
（包名称： TO- 92 （ 1 ） ）
D
G
1.源
2.漏
3.门
32
1
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
散热通道
通道到环境热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
PCH
CH -A
总胆固醇
TSTG
评级
600
±30
0.2
0.8
0.2
0.8
0.75
166.7
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
° C / W
C
C
REJ03G1895-0100 Rev.1.00
2010年6月18日
第1页6
RJK6029DJA
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
民
600
—
—
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
13.5
66
8.7
1.3
30
15
51
175
4.8
0.6
3.2
0.77
220
最大
—
1
±0.1
5
16.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.30
—
单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0
V
GS
=
30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 0.1 A，V
GS
= 10 V
Note2
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 0.1 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 3000
RG = 10
V
DD
= 480 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.2 A
I
F
= 0.2 A，V
GS
= 0
Note2
I
F
= 0.2 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注： 2.脉冲测试
3.由于本装置装备有高电压场效应晶体管芯片（Ⅴ
DSS
600伏），高电压可以被提供。
因此，请务必确认约漏极终端和其他终端之间的放电。
4.本设备对静电放电很敏感。
建议处理该产品时采取适当的注意事项。
REJ03G1895-0100 Rev.1.00
2010年6月18日
第2 6
RJK6029DJA
初步
主要特点
最高安全工作区
10
TA = 25°C
1次射门
0.8
典型的输出特性
TA = 25°C
脉冲测试
4.6 V
4.4 V
4.2 V
4V
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
1
10
PW
=
0.6
5V
10 V
μ
s
0.1
0.4
10
0
μ
s
3.8 V
3.6V
0.01
操作在此
区域由限定
R
DS （ ON）
1
10
100
1000
0.2
V
GS
= 3.4 V
0
0.001
0.1
0
4
8
12
16
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流（典型值）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
100
V
GS
= 10 V
TA = 25°C
脉冲测试
典型的传输特性
1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
0.1
TC = 75℃
25°C
25°C
10
0.01
0.001
2
3
4
5
6
1
0.01
0.1
1
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
- 温度曲线（典型）
V
GS
= 10 V
脉冲测试
30
I
D
= 0.4 A
漏电流I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
体漏二极管的反向
恢复时间（典型）
反向恢复时间trr （ NS ）
1000
40
20
0.2 A
10
0.1 A
100
的di / dt = 50A /
μs
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
0.1
0.3
1
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
壳温度（ ° C）
反向漏电流I
DR
(A)
REJ03G1895-0100 Rev.1.00
2010年6月18日
第3页6
RJK6029DJA
典型的电容比。
漏源极电压
漏极至源极电压V
DS
(V)
1000
TA = 25°C
初步
动态输入特性（典型）
I
D
= 0.2 A
TA = 25
°C
V
GS
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
100
西塞
600
V
DS
400
12
10
科斯
1
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
100
200
300
CRSS
8
200
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
0
2
4
6
8
4
0.1
0
0
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极电荷Qg （ NC ）
0.8
门源截止电压V
GS （ OFF ）
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
反向漏电流I
DR
(A)
V
GS
= 0
TA = 25
°C
脉冲测试
门源截止电压
与外壳温度（典型）
5
V
DS
= 10 V
0.6
4
I
D
= 10毫安
1毫安
0.1毫安
2
1
3
0.4
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
外壳温度
TC （ ℃）
REJ03G1895-0100 Rev.1.00
2010年6月18日
第4 6
栅极至源极电压V
GS
(V)
800
16
电容C （PF ）
RJK6029DJA
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
初步
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- 一（吨） =
γs
(t)
θch
– a
θch
- 一= 166.7 ° C / W ，TA = 25℃
P
DM
PW
T
0.02
0.03
0.01
ULSE
tp
笑
1
0.01
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
D=
PW
T
1
10
100
1000
脉冲宽度
PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10 V
V
DD
= 300 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （关闭）
tf
90%
TD （上）
tr
REJ03G1895-0100 Rev.1.00
2010年6月18日
分页： 5 6
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推荐型号
REC7.5-1215SRWH1AMSMD
RFMA1216-2W
REG1117FA/2K5
RN5VT25C
RD56F
RP92010T0050GTTR
RP10-4815SE
RD38F102000ZTQ0
RLS90
RK-3.31.8D
R6200440
RH4568AURTR-1-1
RG1T-6V
RN1305
RM150CZ-H
RA108Q
REC10-243.3SRWH
RM1A48A75
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RJK6029DJA
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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深圳市晶美隆科技有限公司
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电话：0755-82865294/82517859
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
RJK6029DJA
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24+
68500
TO-92(1)
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电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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