初步
数据表
RJK6029DJA
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 13.5
（典型值） 。 （在我
D
= 0.1 A，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
低驱动电流
高密度安装
REJ03G1895-0100
Rev.1.00
2010年6月18日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003DA -A
（包名称： TO- 92 （ 1 ） ）
D
G
1.源
2.漏
3.门
32
1
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
散热通道
通道到环境热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
PCH
CH -A
总胆固醇
TSTG
评级
600
±30
0.2
0.8
0.2
0.8
0.75
166.7
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
° C / W
C
C
REJ03G1895-0100 Rev.1.00
2010年6月18日
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