TGF2023-10
表三
射频表征表1 /
偏见： VD = 32 V & 40 V ， IDQ = 1 A， V G = - 3V典型
符号
动力调谐：
PSAT
PAE
收益
RP 2 /
CP 2 /
Г
L
3/
效率的关注：
PSAT
PAE
收益
RP 2 /
CP 2 /
Г
L
3/
1/
2/
3/
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射系数
45
55
19.5
190.2
0.263
0.716
157.7
44.5
57
19.5
158.1
0.314
0.753
161.7
DBM
%
dB
·mm
PF /毫米
-
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射系数
47.5
46
15
87.79
0.444
0.819
107.7
46.5
47
15
68.58
0.461
0.831
172.6
DBM
%
dB
·mm
PF /毫米
-
参数
VD = 40 V
VD = 32 V
单位
在这个表中的值是从对SiC小区的1.25毫米单元的GaN比例为3.5 GHz的
碳化硅输出网络上的大信号等效氮化镓
最佳负载阻抗最大功率或最大PAE为3.5 GHz的。串联电阻
和第5页的图中所示的电感（ Rd和Ld）在被排除
3
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2008年12月修订版A
