TGF2023-10

50瓦分立功率氮化镓HEMT的SiC

主要特点

频率范围： DC - 18 GHz的

> 47 dBm的额定PSAT

55 ％最大PAE

15分贝额定功率增益

偏见： VD = 28 - 40 V ， IDQ = 1 ， G = -3 V典型

工艺： 0.25微米功率氮化镓对SiC

芯片尺寸： 0.82 X 2.48 X 0.10毫米

主要应用

空间

军事

宽带无线

实测性能

偏置条件： VD = 28 - 40 V ， IDQ = 1 ， G = -3 V典型

产品说明

TriQuint的TGF2023-10是离散10毫米

氮化镓HEMT的SiC其工作在DC- 18

千兆赫。该TGF2023-10使用设计

TriQuint的证明0.25微米的GaN生产过程。

这个过程具有先进的场板

技术来优化微波功率和

效率在高漏极偏压的工作条件。

该TGF2023-10通常提供> 47 dBm时

饱和输出功率为15 dB的功率增益。

附加效率的最大功率为55％的

这使得TGF2023-10适合于高

效率的应用。

无铅并符合RoHS标准

.

改变数据表，恕不另行通知。

TriQuint半导体： WWW 。 triquint.com (972)994-8465传真(972)994-8504 Info-mmw@tqs.com

2008年12月修订版A

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