1N4448WS-V
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
mA
10
3
1.1
10
2
T
j
= 25 °C
F = 1 MHz的
I
F
10
T
j
= 100 °C
T
j
= 25 °C
C
D
(V
R
)
C
D
(0
V)
1.0
0.9
1
0.8
10
-1
0.7
10
17437
-2
0
1
2
V
0
17440
2
4
6
8
10
V
V
F
V
R
图1.正向特性
图4.相对电容与反向电压
Ω
10
4
5
2
T
j
= 25 °C
F = 1千赫
nA
10
4
5
2
10
3
r
f
10
3
5
2
I
R
5
2
10
2
5
2
10
2
5
2
10
5
2
10
5
2
V
R
= 20
V
1
10
-2
17438
10
-1
1
10
10
2
mA
17441
0
100
200 °C
I
F
T
j
图2.动态正向电阻与正向电流
图5.漏电流与结温
250
P
合计
- 功耗（MW ）
200
150
100
50
0
0
20324
50
100
150
200
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图3.容许功耗与环境温度
文档编号81387
1.0版，04年09月06
www.vishay.com
3
