ATmega8U2/16U2/32U2
对于SPI ， debugWIRE的详细描述和并行数据下载到EEPROM中，
SEE
第259页， 244页，
和
250页
分别。
7.3.1
EEPROM读/写访问
EEPROM的访问寄存器位于I / O空间。
EEPROM的写访问时间见
表7-2第22页。
自定时功能，
然而，让用户软件检测时的下一个字节可以被写入。如果用户代码CON-
这写EEPROM tains说明，一些必须采取预防措施。在重过滤
电源供应器，V
CC
有可能上升或下降缓慢上电/下。这使得该设备为
一段时间，以在电压低于规定的最小的时钟频率下运行
使用。
请参阅第19页上的“防止EEPROM腐败” 。
关于如何避免问题的详细信息
这些情况。
为了防止无意识的EEPROM写操作，具体写的程序必须遵循。
指的是EEPROM控制寄存器有关细节的描述。
当EEPROM被读取后， CPU停止工作4个周期前的下一条指令
执行。当EEPROM写入时，CPU先下一停止两个时钟周期
指令被执行。
7.3.2
防止EEPROM腐败
在低V的时期
CC,
在EEPROM中的数据可能被破坏，因为电源电压是
过低，CPU和正确操作的EEPROM中。这些问题都是一样的
用板级系统的EEPROM中，并且在同一设计方案应该被应用。
一个EEPROM数据损坏有两种情况下都导致当电压过低。首先，
一个常规的写序列到EEPROM需要一个最小的电压，以正常工作。节
ondly ， CPU本身能够执行指令的错误，如果电源电压过低。
EEPROM数据损坏的问题可以通过以下方法解决：
在保持电源电压不足期间AVR RESET信号（低） 。这可以
通过启用内部欠压检测器（ BOD）来完成。如果内部的检测电平
董事会并不需要的检测水平，外部低V匹配
CC
复位保护电路
被使用。如果发生了复位，而在写操作过程中，写操作将要远
pleted提供的电源电压是足够的。
7.4
I / O存储器
该ATmega8U2 / 16U2 / 32U2的I / O空间的定义示于
在“注册摘要”
页294 。
所有ATmega8U2 / 16U2 / 32U2 I / O和外设都被放置在I / O空间。所有的I / O位置
可以通过LD / LDS / LDD和ST / STS / STD指令来访问，之间传输数据
在32个通用工作寄存器和I / O空间。地址在I / O寄存器
范围为0x00 - 0x1F的直接对位进行访问使用SBI和CBI指令。在这些寄存器
TER值，单位的值可以通过使用SBIS和SBIC指令进行检查。请参阅
该指令用于更详细设定部。当使用/ O命令的具体IN和OUT的我，
在I / O地址为0x00 - 0x3F之间必须使用。当寻址的I / O寄存器为数据空间
使用LD和ST指令， 0x20的必须添加到这些地址。该
ATmega8U2 / 16U2 / 32U2是一个复杂的微控制器，更多的外围设备相比，可以
内的64位置中操作码留给IN和OUT指令的支持。对于
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7799B–AVR–07/09
