LTC4358
手术
高可用性系统通常采用并联
电源或电池馈电，以实现冗余
并提高系统的可靠性。 ORing二极管已
一个流行的点连接这些设备的方式
的负载。这种方法的缺点是向前
电压下降并导致外汇基金fi效率损失。这种下降减少
可用的电源电压和功耗显着的
力。使用N沟道MOSFET来代替肖特基
二极管降低了功耗，并且消除了
无需昂贵的散热片或大热布局高
电源应用。
该LTC4358是一个正电压理想二极管CON-
制器，用于驱动一个内部N沟道MOSFET作为通
晶体管来代替一个肖特基二极管。 IN和漏极
销，形成了理想二极管的阳极和阴极。该
输入电源被连接到IN端子，而在漏极
引脚用作输出。 OUT引脚直接连接
地漏和V
DD
. V
DD
对于LTC4358的供应和
从输出直接或衍生通过
RC套牢电路。
在上电时，通过负载的电流最初佛罗里达州流入的
内部MOSFET的体二极管。内部MOSFET
打开和扩增fi er试图调节电压
整个IN和OUT连接到25mV的下降。如果
负载电流引起超过25mV的下降，该
MOSFET被驱动的充分上和上的电压降等于
R
DS （ ON）
I
负载
.
如果负载电流减小引起的正向压降来
低于25mV的，内部MOSFET被驱动下
在试图维持降在一个弱下拉
为25mV 。如果负载电流反转的MOSFET被关
关具有较强的下拉。
在电源故障的情况下，例如，如果支持
帘布层是导电的大部分或全部的电流的短路
地，通过扭转目前暂时FL OWS
LTC4358理想二极管的开启。这个电流提供了源
从任何负载电容，并从其他用品。
理想的二极管被关断时间为500ns内，防止
反向电流从转盘到一个破坏性的水平，
最大限度地减少对输出的任何干扰。
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